.1022 工程科学学报，第42卷，第8期 (a) I um 200nm 1m 200nm 1μm 图4试样的场发射扫描电子显微镜照片.(a)MXene;:(b)NBV/MXene::(c)NSV/MXene Fig.4 FESEM images of samples:(a)MXene;(b)NBV/MXene;(c)NSV/MXene (a) (b) MXene Ti2p NSV/MXene 800 600 400 200 0 468 466 464462460 458456 Binding energy/eV Binding energy/ev (c) NBV/MXene (d) NSV/MXene Ti 2p Ti 2p 468466464462460458456 468466464462460458456 Binding energy/eV Binding energy/eV (e) NBV/MXene (① NSV/MXene V 2p 528526524522520518516514 528526524522520518516514512 Binding energy/eV Binding energy/eV 图5试样的X射线光电子能谱.(a)试样的X射线光电子能总谱：(b-d)3种样品的Ti2p谱图：(e)NBV/MXene的V2p谱图：(f)NSV/MXene的 V2p谱图 Fig5 XPS full survey scan spectra:(a)XPS full survey scan spectra for all samples;(b-d)deconvolution of Ti2p peaks of three samples,deconvolution of V2p peaks of NBV/MXene (e)and NSV/MXene (f) 和5(f)所示，NBV/MXene和NSV/MXene的V2pn 能分别为517.1和517.2eV,V2pn和V2p3n结合能 的结合能分别为524.5和524.6eV,V2p32的结合 差值均为7.4eV.此结果与文献中的TiC2T.的和 5（f）所示，NBV/MXene 和 NSV/MXene 的 V2p1/2 的结合能分别为 524.5 和 524.6 eV，V2p3/2 的结合 能分别为 517.1 和 517.2 eV，V2p1/2 和 V2p3/2 结合能 差值均为 7.4 eV. 此结果与文献中的 Ti3C2Tx 的 1 μm (a) 200 nm 1 μm (b) 200 nm 1 μm (c) 图 4    试样的场发射扫描电子显微镜照片. （a）MXene；（b）NBV/MXene；（c）NSV/MXene Fig.4    FESEM images of samples: (a) MXene; (b) NBV/MXene; (c) NSV/MXene Intensity Binding energy/eV 468 466 464 462 460 458 MXene Ti 2p (b) 456 NBV/MXene Ti 2p Intensity Binding energy/eV 468 466 (c) 464 462 460 458 456 NSV/MXene Ti 2p Binding energy/eV 468 466 464 462 460 458 456 Intensity (d) NBV/MXene V 2p Intensity Binding energy/eV 528 (e) 526 524 522 520 518 516 514 NSV/MXene V 2p Intensity Binding energy/eV 528 526 (f) 524 522 520 518 516 514 512 Intensity Binding energy/eV 800 600 (a) O 1s V 2p Ti 2p C 1s 400 200 0 MXene NBV/MXene NSV/MXene 图 5    试样的 X 射线光电子能谱. （a）试样的 X 射线光电子能总谱；（b~d） 3 种样品的 Ti2p 谱图；（e）NBV/MXene 的 V2p 谱图；（f）NSV/MXene 的 V2p 谱图 Fig.5    XPS full survey scan spectra: (a) XPS full survey scan spectra for all samples; (b-d) deconvolution of Ti2p peaks of three samples; deconvolution of V2p peaks of NBV/MXene (e) and NSV/MXene (f) · 1022 · 工程科学学报，第 42 卷，第 8 期