在此三狹縫的例子’我們可發覺當相位差為120度及240度時 電場強度為零’而當相位差為l8度時有一較小的亮紋(局部 極大值)。其光強度分佈如下面圖片所示 P Secondary maximum AAAAA N=10 薄膜干涉( Thin film interference 考慮光進人一薄膜系統如下面圖片所示,由於光行經每一界面 時’皆會被分成反射與折射兩道光。所以無論是考慮透射或反 射,兩個界面的貢獻皆應計算在內。這情況相當於每一界面等 效於一光源·所以無論是總反射或透射光會有類似於雙狹縫干 涉的現象 No phase chunge 建設性干涉的條件:以反射光為例, 只要兩束光的相位差為2π的整數倍即 為建設性的加成。值得一提的是 光由折射像數小到較大的界面反射時 其相位會改變π,故以垂直人射為例, 建設性干涉發生在其OPD為 OPD=2nt=(m+)λm=0, 破壞性干涉的條件發生在 OPD=2nt=mλm=0,1,2,7 在此三狹縫的例子，我們可發覺當相位差為120度及240度時， 電場強度為零，而當相位差為180度時有一較小的亮紋（局部 極大值）。其光強度分佈如下面圖片所示 薄膜干涉 (Thin Film Interference) 考慮光進入一薄膜系統如下面圖片所示，由於光行經每一界面 時，皆會被分成反射與折射兩道光。所以無論是考慮透射或反 射，兩個界面的貢獻皆應計算在內。這情況相當於每一界面等 效於一光源，所以無論是總反射或透射光會有類似於雙狹縫干 涉的現象。 建設性干涉的條件：以反射光為例， 只要兩束光的相位差為2p的整數倍即 為建設性的加成。值得一提的是，當 光由折射係數小到較大的界面反射時 其相位會改變p ，故以垂直入射為例， 建設性干涉發生在其OPD為 2 ( ) 0,1,2,... 2 1 OPD = nt = m + l m = 破壞性干涉的條件發生在 OPD = 2nt = ml m = 0,1,2