普通CVD 1.基本原理 剩用气体物质在固体表面进行化学反应,从而在该固 体表面生成固体沉积物的一种技术,根据化学反应的形 式,化学气相沉积可分为以下两类: (1)热分解反应沉积 利用化合物加热分解,在基体(基片或衬底)表面 得到固态膜层的技术。 常用于制备金属、半导体和绝缘体等各种薄膜,是化学气 相沉积中的最简单形式,例如 SH4(气)-800c-1200S(固)+2H2↑一 、普通CVD 1. 基本原理 利用气体物质在固体表面进行化学反应，从而在该固 体表面生成固体沉积物的一种技术，根据化学反应的形 式，化学气相沉积可分为以下两类： （1）热分解反应沉积 ——利用化合物加热分解，在基体（基片或衬底）表面 得到固态膜层的技术。 常用于制备金属、半导体和绝缘体等各种薄膜，是化学气 相沉积中的最简单形式，例如： SiH4 (气) 800℃～1200℃→ Si(固)＋2H2 ↑