高温工艺过程引入的位错 ·掺杂过程中引入的位错 薄膜制备过程中引入的位错 无论是天生的还是诱生的缺陷对器件特性都 是不利的,因此在芯片制造过程中都应该尽量 避免。 穴位 ■E口• 高温工艺过程引入的位错 • 掺杂过程中引入的位错 • 薄膜制备过程中引入的位错 无论是天生的还是诱生的缺陷对器件特性都 是不利的，因此在芯片制造过程中都应该尽量 避免。 穴位