第5期 王成铎等：玻璃包覆FeCoSiB微丝包覆层化学去除方法 .605. 我 60 △40%HF+0.2%NaSCN 6 40 4 口40%HF 20℃ 40%HF 206 01 0.2 0.3 0 30 6090120150 NaSCN质量分数/% 时间s 图4 NaSCN含量对铁基合金缓蚀效率的影响 图5玻璃包覆层厚度与反应时间的关系 Fig.4 Effect of the content of sodium thiocyanate on the corrosion Fig.5 Relationship between glass coating thickness and reaction inhibition rate to the ferrous base alloy time 为了分析添加NaSCN后HF溶液对玻璃包覆 的金属芯丝表面SEM形貌，从图中可以看出，微丝 层去除速度的影响，本文在20℃下，分别用40% 在40%HⅢ溶液中腐蚀150s时，金属芯丝表面粗糙 HF溶液和40%HF+0.2%NaSCN溶液去除玻璃 且有明显的腐蚀坑出现；而在40%HF+0.2% 包覆层，图5为玻璃包覆层厚度与反应时间的关 NaSCN溶液中腐蚀150s时，金属芯丝表面光滑，没 系.从图中可以看出，厚度约8m的包覆层在40% 有明显的腐蚀坑出现.延长腐蚀时间至300s的实 HF溶液和40%HF+0.2%NaSCN溶液中完全去 验结果表明，玻璃包覆微丝在40%HF溶液腐蚀时， 除的时间均为135s,包覆层去除速度相同；说明 金属芯丝表面有大量腐蚀坑；而在40%H亚十0.2% NaSCN并不影响玻璃包覆层的去除速度. NaSCN溶液中腐蚀时，金属芯丝表面仅有少量腐蚀 网6为踮璃句蹈rCS微丝在溶沾中脑仲后 坑出现 图6微丝在溶液中腐蚀后芯丝表面SEM形貌.(a)在40%HF溶液中腐蚀150s;(b)在40%HF十0.2%NaSCN溶液中腐蚀150s:(c)在 40%HF溶液中腐蚀300s:(d)在40%HF+0.2%NaSCN溶液中腐蚀300： Fig-6 Surface SEM morphologies of microwires etched in solutions:(a)etched in40%hydrofluoric acid solution for 150s:(b)etched in the solu- tion of 40%hydrofluoric acid and sdium thiocyanate for 150s (e)etched in0%hydrofluorie acid solution for 300s(d)etched in the so lution of 40%hydrofluoric acid and .2 sodium thiocyanate for 300s图4 NaSCN 含量对铁基合金缓蚀效率的影响 Fig．4 Effect of the content of sodium thiocyanate on the corrosion inhibition rate to the ferrous base alloy 为了分析添加 NaSCN 后 HF 溶液对玻璃包覆 层去除速度的影响‚本文在20℃下‚分别用40％ HF 溶液和40％ HF＋0∙2％ NaSCN 溶液去除玻璃 包覆层．图5为玻璃包覆层厚度与反应时间的关 系．从图中可以看出‚厚度约8μm 的包覆层在40％ HF 溶液和40％ HF＋0∙2％ NaSCN 溶液中完全去 除的时间均为135s‚包覆层去除速度相同；说明 NaSCN 并不影响玻璃包覆层的去除速度． 图6为玻璃包覆FeCoSiB微丝在溶液中腐蚀后 图5 玻璃包覆层厚度与反应时间的关系 Fig．5 Relationship between glass coating thickness and reaction time 的金属芯丝表面 SEM 形貌．从图中可以看出‚微丝 在40％ HF 溶液中腐蚀150s 时‚金属芯丝表面粗糙 且有明显的腐蚀坑出现；而在 40％ HF ＋0∙2％ NaSCN 溶液中腐蚀150s 时‚金属芯丝表面光滑‚没 有明显的腐蚀坑出现．延长腐蚀时间至300s 的实 验结果表明‚玻璃包覆微丝在40％HF 溶液腐蚀时‚ 金属芯丝表面有大量腐蚀坑；而在40％ HF＋0∙2％ NaSCN 溶液中腐蚀时‚金属芯丝表面仅有少量腐蚀 坑出现． 图6 微丝在溶液中腐蚀后芯丝表面 SEM 形貌．（a） 在40％HF 溶液中腐蚀150s；（b） 在40％HF＋0∙2％ NaSCN 溶液中腐蚀150s；（c） 在 40％HF 溶液中腐蚀300s；（d） 在40％HF＋0∙2％ NaSCN 溶液中腐蚀300s Fig．6 Surface SEM morphologies of microwires etched in solutions：（a） etched in40％ hydrofluoric acid solution for150s；（b） etched in the solu￾tion of40％ hydrofluoric acid and0∙2％ sodium thiocyanate for150s；（c） etched in40％ hydrofluoric acid solution for300s；（d） etched in the so￾lution of 40％ hydrofluoric acid and0∙2％ sodium thiocyanate for300s 第5期 王成铎等： 玻璃包覆 FeCoSiB 微丝包覆层化学去除方法 ·605·