基本概念 沟道逆向掺杂：MOSFET沟道处的掺杂必须和源、漏的极 性相反，但沟道处掺杂浓度高了，阈值电压增加，反型就 变得困难；而且出现杂质随机分布和迁移率退化。而掺杂 浓度低或不掺杂，短沟道效应又会更明显，穿通泄漏的可 能也越大。逆向掺杂则取了个折衷，接近栅极的沟道表面 几乎不掺杂，往衬底的方向则增加掺杂浓度。这样沟道表 面的载流子迁移率仍然高，不影响开通时的电流，而截止 时整体的泄漏电流却可以减少。利用参杂浓度的不同，还 能对阀值电压作一定的控制。• 基本概念 • 沟道逆向掺杂：MOSFET沟道处的掺杂必须和源、漏的极 性相反，但沟道处掺杂浓度高了，阈值电压增加，反型就 变得困难；而且出现杂质随机分布和迁移率退化。而掺杂 浓度低或不掺杂，短沟道效应又会更明显，穿通泄漏的可 能也越大。逆向掺杂则取了个折衷，接近栅极的沟道表面 几乎不掺杂，往衬底的方向则增加掺杂浓度。这样沟道表 面的载流子迁移率仍然高，不影响开通时的电流，而截止 时整体的泄漏电流却可以减少。利用掺杂浓度的不同，还 能对阀值电压作一定的控制