点击下载:电子科技大学:《集成电子学 Integrated Electronics》课程教学资源(课件讲稿)第五章 纳米CMOS器件的沟道工程和超浅结技术
正在加载图片...
Gate(栅极) Source(源) Drain漏) 多晶硅栅电极 N+ N+ P+ P掺杂浓度逐渐增加 P衬底 NMOS管+沟道逆向掺杂
<<向上翻页
向下翻页>>
点击下载:电子科技大学:《集成电子学 Integrated Electronics》课程教学资源(课件讲稿)第五章 纳米CMOS器件的沟道工程和超浅结技术
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有