点击下载:电子科技大学:《集成电子学 Integrated Electronics》课程教学资源(课件讲稿)第五章 纳米CMOS器件的沟道工程和超浅结技术
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HALO结构:与逆向掺杂从纵向处理沟道区域不同, ALO结构是仅在源和漏附近增加沟道掺杂的浓度,也能 起到相似的效果。 Gate栅极) Source(源) Drain(漏) 多晶硅栅电极 N+ N+ HALO P衬底 NMOS管+HALO• HALO结构: 与逆向掺杂从纵向处理沟道区域不同, HALO结构是仅在源和漏附近增加沟道掺杂的浓度,也能 起到相似的效果
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