介质pocket:介质pocket.则是用绝缘介质替代HALO结构， 它减少了注入掺杂可能带来的问题，如掺杂浓度难以控制、 离子注入带来损伤，载流子迁移率改变等 Gate(栅极) Source(源) Drain(漏) 多晶硅栅电极 N+ N+ 介质pocket P衬底 NMOS管+介质pocket• 介质pocket: 介质pocket则是用绝缘介质替代HALO结构， 它减少了注入掺杂可能带来的问题，如掺杂浓度难以控制、 离子注入带来损伤，载流子迁移率改变等