一、沟道工程要解决的问题 采用环绕掺杂HALO)或垂直方向的不均匀掺杂可以减小 因短沟道效应而产生的V漂移和关态泄漏电流。 纳米尺度器件，衬底掺杂浓度将高达1018cm3的数量级。反 型载流子的迁移率将出现严重退化，使器件的驱动电流减 小。 尺寸减小及LDD结构（用于减小漏端的高电场）所带来的 高寄生源一漏电阻也直接影响器件的驱动电流。必须使用 沟道工程和特殊的源、漏结构来解决。• 采用环绕掺杂(HALO)或垂直方向的不均匀掺杂可以减小 因短沟道效应而产生的VT漂移和关态泄漏电流。 • 纳米尺度器件,衬底掺杂浓度将高达1018cm-3的数量级。反 型载流子的迁移率将出现严重退化，使器件的驱动电流减 小。 • 尺寸减小及LDD结构（用于减小漏端的高电场）所带来的 高寄生源—漏电阻也直接影响器件的驱动电流。必须使用 沟道工程和特殊的源、漏结构来解决