当器件的尺寸进一步减小而沟道区的掺杂浓度不变时，源、 漏穿通将使器件失去栅控性。改变局部的沟道掺杂浓度可 以避免源、漏穿通。通常的方法是使用HALO或Pocket离子 注入区或逆向掺杂等方法来控制源、漏穿通 。 随着沟道长度的减小，源、漏区引起的耗尽层电荷分享效 应也会导致器件关态泄漏电流的急剧上升。 杂质原子数目的随机涨落或随机分布给MOSFET的尺寸缩 小带来的根本限制。降低沟道的参杂浓度可以减小杂质随 机分布影响。 总之，沟道工程和超浅结技术是纳米MOSFETZ研究工作的一 个重点。• 当器件的尺寸进一步减小而沟道区的掺杂浓度不变时，源、 漏穿通将使器件失去栅控性。改变局部的沟道掺杂浓度可 以避免源、漏穿通。通常的方法是使用HALO或Pocket离子 注入区或逆向掺杂等方法来控制源、漏穿通。 • 随着沟道长度的减小，源、漏区引起的耗尽层电荷分享效 应也会导致器件关态泄漏电流的急剧上升。 • 杂质原子数目的随机涨落或随机分布给MOSFET的尺寸缩 小带来的根本限制。降低沟道的掺杂浓度可以减小杂质随 机分布影响。 • 总之，沟道工程和超浅结技术是纳米MOSFET研究工作的一 个重点