半导体中的非均匀掺杂 掺杂不均匀〉 可动载流子由高浓 载流子扩散后留下了 度向低浓度扩散 电离施主（受主） 形成空间电荷区 Bulit-in 平衡时扩散=漂移 electric 阻止载流 存在自建电场 field 子的扩散 半导体中的非均匀掺杂具有多种运用，例如可以调节 耗尽区宽度变化，以改变P结反偏电容，制作变容 二 极管；双极晶体管基区非均匀掺杂，可以设置加速电 场，降低少子渡越时间，提高电流增益；横向非均匀 掺杂，可用于PN结展宽耗尽层厚度，提高击穿电压。• 半导体中的非均匀掺杂具有多种运用，例如可以调节 耗尽区宽度变化，以改变PN结反偏电容，制作变容二 极管；双极晶体管基区 非均匀掺杂，可以设置加速电 场，降低少子渡越时间，提高电流增益；横向非均匀 掺杂，可用于PN结展宽耗尽层厚度，提高击穿电压。 掺杂不均匀 可动载流子由高浓 度向低浓度扩散 载流子扩散后留下了 电离施主（受主）， 形成空间电荷区 阻止载流 子的扩散 平衡时扩散＝漂移 存在自建电场 Bulit-in electric field