§4.2材料生长与淀积 §4.2.4金属化 ·铝：粘附性好 Hillocks ·在真空腔中加热蒸发，形成 蒸铝流体覆盖晶圆 ·电阻率p=2.65μ2cm Voids ·缺点： Aluminum 电阻率比较大；高电流密度 情况下存在电迁移问题，原 子从导线一端移出，在另 一 端堆积。 I 铝的电迁移效应 电流密度：J= A wt 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 §4.2材料生长与淀积 §4.2.5掺杂 扩散一高温过程 ·离子注入一常温下进行，注入后需要高温退火处理 Ion source Magnetic Accelerator Mass Separator Ion beam Wafer Figure 4.5 Basic sections of an ion implanter 掺杂剂原子在腔室中电离→加速到很高能量 →质量分离器→射入衬底 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 122018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 11 §4.2 材料生长与淀积 §4.2.4 金属化 wt I A I 电流密度：J = = • 铝：粘附性好 • 在真空腔中加热蒸发，形成 蒸铝流体覆盖晶圆 • 电阻率 • 缺点： 电阻率比较大；高电流密度 情况下存在电迁移问题，原 子从导线一端移出，在另一 端堆积。 ρ = 2.65μΩ ⋅ cm 铝的电迁移效应 2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 12 §4.2 材料生长与淀积 §4.2.5 掺杂 •扩散——高温过程 •离子注入——常温下进行，注入后需要高温退火处理 掺杂剂原子在腔室中电离→加速到很高能量 →质量分离器→射入衬底