§4.2材料生长与淀积 §4.2.2氮化硅 ·用于表面覆盖，对大多数物质原子有阻挡作用，防污染 介电常数较大：6w≈7.8&。 制造过程中用来在电气上隔离相邻场效应管 同$0，一样，能被化学漂洗掉 反应式： 3SiH4(气)+4NH(气)→SiN4(固)+12H(气) 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 §4.2材料生长与淀积 §4.2.3 多晶硅 多晶硅：Poy层，形成栅极 在SiO,上淀积硅原子，形成多晶（局部小区域Si原子规则 排列) 反应式：SiH4→Sit2H, Poy优点： •可被掺杂，增强导电性 与SiO2良好接合 ·可覆盖高熔点金属，如钛(T)、铂(Pt)、钨(W)、 钴(C0)，降低薄层电阻 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 102018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 9 3SiH4(气）+4NH3(气） → Si3N4(固）+12H2(气） §4.2 材料生长与淀积 §4.2.2 氮化硅 • 用于表面覆盖，对大多数物质原子有阻挡作用，防污染 • 介电常数较大： • 制造过程中用来在电气上隔离相邻场效应管 • 同SiO2一样，能被化学漂洗掉 0 ε ≈ 7.8ε N 反应式： 2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 10 多晶硅：Poly层，形成栅极 SiH4 → Si+2H2 §4.2.3 多晶硅 §4.2 材料生长与淀积 反应式： •可被掺杂，增强导电性 •与SiO2良好接合 •可覆盖高熔点金属，如钛（Ti）、铂（Pt）、钨（W）、 钴（Co），降低薄层电阻 Poly优点： 在SiO2上淀积硅原子，形成多晶（局部小区域Si原子规则 排列）