中国绅学我术大学 University of Science and Technology of China 第4章CMOS集成电路的制造 本章目录 4.1硅工艺概述 4.2材料生长与淀积 4.3刻蚀 4.4CMOS工艺流程 4.5设计规则 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 §4.1硅工艺概述 ●平面工艺，多层加工 Diameter ●以硅圆片为单位制作 Wafer- 硅圆片及其芯片部位 Die sites 圆片的直径：100-300mm 圆片的厚度：0.40.7mm Flat Figure 4.1 Silicon wafer showing die sites 2018-9-5 第4章CMOS集成电路的制造 22018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 1 第 4 章 CMOS集成电路的制造 集成电路的制造 本章目录 •4.1 硅工艺概述 •4.2 材料生长与淀积 •4.3 刻蚀 •4.4 CMOS工艺流程 •4.5 设计规则 2018-9-5 第4章 CMOS集成电路的制造 2 §4.1 硅工艺概述 硅圆片及其芯片部位 圆片的直径：100~300mm 圆片的厚度：0.4~0.7mm z平面工艺，多层加工 z以硅圆片为单位制作