自持放电 非自持放电 T T2 图4:汤森放电区的I-V特性曲线 在电气击穿形成等离子体前要经历暗放电阶段,包括本底电离区、饱和区、 汤森放电区和电晕放电区,如图4所示。非自持放电是指存在外致电离源的条件 下放电才能维持的现象;若去掉外致电离源的条件下放电仍能维持,则为自持放 电。放电从非自持放电转变到自持放电的过程称为气体的击穿。整个放电现象称 为汤生放电。 由于宇宙射线和地壳中放射性元素的辐射作用,气体中均具有一定量的电子 和离子,这种现象称为剩余电离。当放电管两端加上较低电压时,这部分电子与 离子会在外场作用下形成电流。如图4所示,这一电流会随着放电管两端的电压 增加而增加,在T区域形成的饱和电流i,i的面密度约为10A/cm2 从阴极发射的电子在电场的作用下获得足够的能量,可以在与气体分子碰撞 时产生电离,使得放电电流增加。这一过程称为α过程,由汤生第一电离系数α 来描述,α表示一个电子经过单位路程与中性气体粒子发生非弹性碰撞产生的电 子-离子数目。 随着放电管两端电压的增加,正离子在电场中加速也能获得足够的能量,可 以在与气体分子发生碰撞时使其电离。这一过程称为β过程,由汤生第二电离系11 图4：汤森放电区的I-V特性曲线 在电气击穿形成等离子体前要经历暗放电阶段，包括本底电离区、饱和区、 汤森放电区和电晕放电区，如图4所示。非自持放电是指存在外致电离源的条件 下放电才能维持的现象；若去掉外致电离源的条件下放电仍能维持,则为自持放 电。放电从非自持放电转变到自持放电的过程称为气体的击穿。整个放电现象称 为汤生放电。 由于宇宙射线和地壳中放射性元素的辐射作用，气体中均具有一定量的电子 和离子，这种现象称为剩余电离。当放电管两端加上较低电压时，这部分电子与 离子会在外场作用下形成电流。如图4所示，这一电流会随着放电管两端的电压 增加而增加，在T0区域形成的饱和电流i0，i0的面密度约为10-12A/cm2 . 从阴极发射的电子在电场的作用下获得足够的能量，可以在与气体分子碰撞 时产生电离，使得放电电流增加。这一过程称为过程，由汤生第一电离系数 来描述，表示一个电子经过单位路程与中性气体粒子发生非弹性碰撞产生的电 子-离子数目。 随着放电管两端电压的增加，正离子在电场中加速也能获得足够的能量，可 以在与气体分子发生碰撞时使其电离。这一过程称为过程，由汤生第二电离系