As w Si 离子注入过程是一个非平衡过程,高能离子进入 靶后不断与原子核及其核外电子碰撞,逐步损失 能量,最后停下来。停下来的位置是随机的,大 部分不在晶格上,因而没有电活性。离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入 靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失 能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大 部分不在晶格上，因而没有电活性