第九章载流子的散射 在这一章中我们进一步讨论半导体中各种散射机制,主要是 各种类型的晶格散射和电离杂质散射.多年来由于在这个领域中 大量的实验研究和理论研究工作,人们对半导体中各种散射过程 的认识得到了显著的深化、尽管仍然还有许多问题有待进一步解 决,但在不少情形下已经能够对各种输运参量进行定量计算这 章中我们将导出各种情形下的跃迁几率和弛豫时间,并主要通过 对迁移率的讨论来说明它们在各种半导体中的作用.但即使是对 于迁移率的讨论,也只是主要通过采用简单模型进行(具有球形等 能面的抛物性带、非简并统计略去载流子的屏蔽作用等考虑各 种实际因素通常将要求复杂的计算,以致于数值计算),以达到说 明各机制的主要性质的目的 我们将从一般讨论载流子由一个状态散射到另一状态的跃迁 几开始 §9.1跃迁儿率 任何偏离理想周期势的附加都可引起载流子的散射.为要 利用式(4-A2-16)和(4-42-17)计算散射率和弛像时间,必须 首先得到在附加势V(x,)的作用下载流子由一个状态k跃迁到 另一状态k的几率W(k,k).它代表单位时间内由k向k跃迁 的次数 497