槐氏( Von Weimarn)经验公式:分散度=Kx 式中:co-加入沉淀剂瞬间沉淀物质的浓度;s-沉淀的溶解度 (c-)-过饱和度:(coys-相对过饱和度 分散度即晶核形成速度,或沉淀初始浓度。 结晶、成核与相对过饱和度(RSS)有关,co小,成核较慢,可得到大颗粒沉淀。 RSS大,易形成无定形沉淀甚至胶体:RSS小,晶形沉淀。 不同沉淀均相成核所需相对过饱和度不同,有个极限值,称临界cos值。一种沉淀的 临界值越大,表明该沉淀不易均相成核。不冋的沉淀,其临界值不同,如表9-6。临界值越 大,越易形成晶形沉淀:反之,易形成颗粒小的凝乳状沉淀或无定形沉淀。 重量分析中,为得到大颗粒晶体,最好控制溶液的过饱和度在临界值以下。 93晶体沉淀与无定形沉淀的生成 ■沉淀反应最终是形成晶形沉淀还是无定形沉淀,是由晶核 品核形成速率 形成速率与颗粒成长速率的相对大小决定。如左图 ■晶核形成速率和颗粒成长速率都与溶液的过饱和度 最演形 颗粒成长速率 (RSS)成正比 ■当颗粒成长速率>晶核形成速率时,易形成晶形沉淀:反 之,易形成无定形沉淀。 ■重量分析中,目标是能形成晶形沉淀,因此,应尽可能减 少相对过饱和度 94影响沉淀纯度的主要因素 941共沉淀现象 本身不能单独析出沉淀的物质能随同另一种沉淀析出的现象,称为共沉淀现象。 1.表面吸附共沉淀 表面有剩余电荷,吸附构晶离子,形成吸附层,再吸附相反电荷离子(称抗衡离子), 形成扩散层,组成了双电层。 吸附层吸附规律:优先吸附构晶离子。 抗衡离子的吸附:a.与构晶离子形成溶解度、离解度最小的化合物。 b离子浓度越大,越易被吸附。 c离子电荷高的优先吸附 影响因素 a.颗粒小,比表面积大,吸附杂质多。 b.吸附是放热过程,温度升高,吸附杂质量减少 防止:洗涤(电解质水,易挥发的沉淀剂) 2.混晶或固溶体4 槐氏（Von Weimarn）经验公式： c s Q K s− 分散度 = × 式中：cQ－加入沉淀剂瞬间沉淀物质的浓度； s－沉淀的溶解度； （cQ –s）－过饱和度； (cQ-s)/s－相对过饱和度 分散度即晶核形成速度，或沉淀初始浓度。 结晶、成核与相对过饱和度(RSS)有关，cQ小，成核较慢，可得到大颗粒沉淀。 RSS 大，易形成无定形沉淀甚至胶体；RSS 小，晶形沉淀。 不同沉淀均相成核所需相对过饱和度不同，有个极限值，称临界 cQ/s 值。一种沉淀的 临界值越大，表明该沉淀不易均相成核。不同的沉淀，其临界值不同，如表 9-6。临界值越 大，越易形成晶形沉淀；反之，易形成颗粒小的凝乳状沉淀或无定形沉淀。 重量分析中，为得到大颗粒晶体，最好控制溶液的过饱和度在临界值以下。 9.3.3 晶体沉淀与无定形沉淀的生成 9.4 影响沉淀纯度的主要因素 9.4.1 共沉淀现象 本身不能单独析出沉淀的物质能随同另一种沉淀析出的现象，称为共沉淀现象。 1. 表面吸附共沉淀 表面有剩余电荷，吸附构晶离子，形成吸附层，再吸附相反电荷离子（称抗衡离子）， 形成扩散层，组成了双电层。 吸附层吸附规律：优先吸附构晶离子。 抗衡离子的吸附：a.与构晶离子形成溶解度、离解度最小的化合物。 b.离子浓度越大，越易被吸附。 c.离子电荷高的优先吸附。 影响因素： a． 颗粒小，比表面积大，吸附杂质多。 b． 吸附是放热过程，温度升高，吸附杂质量减少。 防止：洗涤（电解质水，易挥发的沉淀剂） 2. 混晶或固溶体 �沉淀反应最终是形成晶形沉淀还是无定形沉淀，是由晶核 形成速率与颗粒成长速率的相对大小决定。如左图。 �晶核形成速率和颗粒成长速率都与溶液的过饱和度 （RSS）成正比 �当颗粒成长速率>晶核形成速率时，易形成晶形沉淀；反 之，易形成无定形沉淀。 �重量分析中，目标是能形成晶形沉淀，因此，应尽可能减 少相对过饱和度