一52- 钢院學報 c-在时間x内一相厚度的减少，並且按(1)式 e=2y√Dr 把e代入(12)式中， A=e0-211)r (13) 上式对r微分 拾=品(-g/D)=y四 (14) 在飽和相消失时，△=0，这时r=π。（饱和棉消失的时間)由(13)式，得 E02 t=t0= (15) 4y2D 代入(14)式並注意到近似地· y1 C 于是得： 脍-()广÷ (16） 合伊(11)及(16)式，.最后得在饱和相消失前后，对于帶有放射性同位素一端的就样的射 糊强度随时間变化的差值如下： dI1 _dI =K· C一.2.D, (17) dr =o-dr. r=ro十 C-C。' 对于试样相反一端的类似的計算得 dIz _dI2 ，、L不一·2·De =K· (18) dr =o-dr 由(17)及(I8)式显然可見在饱和溶失后·在「一t图形上应出现折点，折点出现的 位置与粗元的相互溶解度，扩散系数数以及帶上层的厚度有关；所在相反的一端还与吸收系 数及武样的厚度有关。 由I一T图形决定折点出现的时間，再按公式 e0=2y√Dra (19) 及 Cr、=√元rexpy2(1+b()]压r CH-CII 进行試脸数据的分折。 在应用放性射同位素研究扩敏特性的各种方法中，以吸收法最大的利用丁示踪原子的优 越性。我們选擇了基于吸收法所发屉起来的薄层法进行本武验的研究工作。选挥这个方法的理 由是：有可能在同一武样上测定跑和相消失的时間（折点出现的时聞）以及扩散系数（由折点一 5 2 一 搬院 每极 卜 在时简 r 内 。 一 相厚度的诚少 , 兹且按 〔 ! 乡式 。 二 2犷了 D ; 把 ` 代 入 ( 班) 式 中 , △二 ` 。 一 2 了 妇 兮 ( 13 ) 上 式对 : 微分 d △ _ d d r d r ( 。 。 一 2 犷了 一 示 . 一 ) 二 , 了 旦 . ( 1 4 ) 在饱 和 相渭失时 , △ 二 0 , 攀时 f 二 r 。 (鲍 和相 消 失的 时 简 ) 由 ( 1 3 ) 式 , 得 “ 空 一 1 ” 一 花歹币 ( 15 ) 代入 ( 1幻 式敢注意到近似地 C , 立 C : : 一 C 一俄 : : 一丫1 二 甲` 于是得 : 。一 么 ? 一 旦 · 生二了一卫 工延一 . 、 d f 、 C 兀压 一 C : 皿 产 ( 1 6 ) 合拼 ( 1 1 ) 及 ( 16 ) 式 , 于 最后得在鲍 和相渭 失前 后 , 对于带有放 射性同拉素一端的拭样的 射 粗强度随时简变化的差值如 下: 州 _蜘{ 一 K . 华里架认 d r 卜= : 。 一 右 d r 一 卜一 : 。 十 在 U “ 一 U “ l( 7) , 、 一沉2 一与D 对于拭样相反一端的类似的箭算 得 d l , { 一华卜 一 K } : 一 : 。 一 登 a r 卜二 公。 十 登 e 号 : C : 工 一 C : ` 2 D 孔 ` o 一 尽 l ( 18 ) 由 ( 1 7 ) 及 ( 1 8 ) 式显然可 见在鲍 和消失后 ` 在 I ~ r 图形 . 上应踢现折 点 , 折点出现 的 位置与粗元 的相互溶解 度 , 扩散系 数数以 及 带上层 的厚度有关 ; i劳在相 反的~ 端还与 吸收系 数及淤 的厚度有关 。 , 二 由 1 ~ : 图形决定 折点 出现的时 周: 。 , 再按公 式 e 。 二2 ) 了 D r 。 19 夕 C : , C : : 一 C x : 一 了 二 r e x p少 ” 〔1 十 小 ( 下) )巴 了 二 r 进行飘盈数据的分折 。 , 在应用放性射同位素研究扩散特性 的各种 方法中 , 以 吸收法最大的利 用 了示 踪原子的优 越性 。 我 们选择了基于 吸收法所发 屏起来的薄层法进行本试脆的研究 工作 。 选裸这 个方法 的理 由是 : 有可 能在同一藏样 上侧定鲍 和相 消失的时 尚 ( 折点 出现的时 简 )以及扩 散系 数 ( 由折点