3、衬底效应:衬底必须接在电路中的最低电位上,这在前面已经强调的, 而源极有些情况下不能接在电路中的最低电位上,则源极与衬底不能直 接相连,其间就会作用着负值电压VUs,在此负电压的作用下,使P型 衬底中的孔穴移向衬底电极,使耗仅层中的负离子增多,但由于VGs不 变,栅极上的正电荷量没变,为了使平板电容器两极板电荷量相等,反 型层中的自由电子必然减小,沟道电阻加大,减小,Vu与VG样 同样具有对L的控制作用,故称衬底电极为背栅极。 4、集成工艺:(略) 耗尽型MOS(DMOS)场效应管 耗尽型MOS(DMOS)场效应管与增强型类似,差别仅在于衬底表面扩散 薄层与衬底导电类型相反的掺杂区,作为漏源之间的导电沟道,当Vos 等于零时导电沟道已经存在,其他分析方法同增强型。 小信号电路模型:与JFET类似,不 D 同的是MOS场效应管由于存在衬底 效应其小信号电路模型中,必须附 U 加一个压控电流源 guus,如右图 g gmyt 所示3、衬底效应：衬底必须接在电路中的最低电位上，这在前面已经强调的， 而源极有些情况下不能接在电路中的最低电位上，则源极与衬底不能直 接相连，其间就会作用着负值电压VUS，在此负电压的作用下，使P型 衬底中的孔穴移向衬底电极，使耗仅层中的负离子增多，但由于VGS不 变，栅极上的正电荷量没变，为了使平板电容器两极板电荷量相等，反 型层中的自由电子必然减小，沟道电阻加大，ID减小， VUS与VGS一样 同样具有对ID的控制作用，故称衬底电极为背栅极。 4、集成工艺：（略） 二、耗尽型MOS（DMOS）场效应管 耗尽型MOS（DMOS）场效应管与增强型类似，差别仅在于衬底表面扩散 一薄层与衬底导电类型相反的掺杂区，作为漏源之间的导电沟道，当VGS 等于零时导电沟道已经存在，其他分析方法同增强型。 三、小信号电路模型：与JFET类似，不 同的是MOS场效应管由于存在衬底 效应其小信号电路模型中，必须附 加一个压控电流源gmuvus ， 如右图 所示： vgs gmvgs gmuvus rds + + - - vds