3.3场效应管电路的分析方法及应用 与晶体三极管一样,场效应管电路的分析方法有图解法和电路模型法等,不 过由于场效应管的伏安关系是平方律的,更多采用数学表达式直接求解静态 工作点,利用小信号等效电路进行交流分析。在应用上,晶体三极管构成的 功能电路一般也能用场效应管来实现。当然两者不可能完全一样,各自都有 不同的特点 场效应管与晶体三极管的比较 1、晶体三极管输入端的PN结为正向偏置,因而它的基极电流较大,相应的 输入电阻较小,而JET输入端的PN结为反向偏置, MOSFET则有绝缘层 隔离,因而它们的栅极电流很小,相应的输入电阻很大,通常JFET输入 电阻大于10g, MOSFET则大于101-1012g。 、场效应管是利用多子导电的器件,因而它是一种单极型(一种载流子) 器件,而晶体三极管则是孔穴和自由电子都参与导电的器件(又称双极 型器件,常用BJT表示),由于多子浓度不受温度、光照、核辐射等外界 因素影响,因此在环境条件变化较大的场合,采用场效应管比较合适。 3、在小电流、低电压工作时,场效应管可作为电压控制的可变线性电阻器 和导通电阻很小的无触点电子开关。 4、场效应管的源极和漏极在结构上是对称的,可以互换使用,其中耗尽型3. 3 场效应管电路的分析方法及应用 与晶体三极管一样，场效应管电路的分析方法有图解法和电路模型法等，不 过由于场效应管的伏安关系是平方律的，更多采用数学表达式直接求解静态 工作点，利用小信号等效电路进行交流分析。在应用上，晶体三极管构成的 功能电路一般也能用场效应管来实现。当然两者不可能完全一样，各自都有 不同的特点。 一、场效应管与晶体三极管的比较 1、晶体三极管输入端的PN结为正向偏置，因而它的基极电流较大，相应的 输入电阻较小，而JFET输入端的PN结为反向偏置，MOSFET则有绝缘层 隔离，因而它们的栅极电流很小，相应的输入电阻很大，通常JFET输入 电阻大于108，MOSFET则大于1011 --1012。 2、场效应管是利用多子导电的器件，因而它是一种单极型（一种载流子） 器件，而晶体三极管则是孔穴和自由电子都参与导电的器件（又称双极 型器件，常用BJT表示），由于多子浓度不受温度、光照、核辐射等外界 因素影响，因此在环境条件变化较大的场合，采用场效应管比较合适。 3、在小电流、低电压工作时，场效应管可作为电压控制的可变线性电阻器 和导通电阻很小的无触点电子开关。 4、场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，其中耗尽型