MOSFET的vs可正可负,因此在设计电路时比晶体三极管灵活。 、 MOSFET是一种自隔离器件,它的制造工艺比较简单,因此在集成电路 中它的集成度比较高,适用于大规模集成电路。 场效应管电路的分析方法 1、静态分析:场效应管电路的静态分析方法可用图解法,不过由于场效应 管的伏安关系是平方律的,更多采用数学表达式直接求解静态工作点 例题1、右图所示的电路中,管子参数为 H, CoX W/(2L)=0.25mA/V 20V VGs(t)=2V,求lb R 解:由于LG=0 1.2M 10K VG=VDd RG2/(RGi+reza=8V VGs=VG-Ⅴs=8-LDRs 假设管子工作在饱和区,则 ID=lun Cox W/(2L)I( Ves-VGs(th))2 Rs =0.25(8-4b-2)2 0.8M了 4K 求得两个解,分别为ID=2.25mA和1mA 其中b=2.25mA求得V=9V造成Vs为 负值,显然不合理,故舍去,另一个解b=1mA求得Vs=4V,VDs=6V 满足VGs>Vos(),VDs>Vos-Vs()符合原先假设。MOSFET的VGS可正可负，因此在设计电路时比晶体三极管灵活。 5、 MOSFET是一种自隔离器件，它的制造工艺比较简单，因此在集成电路 中它的集成度比较高，适用于大规模集成电路。 二、场效应管电路的分析方法 1、静态分析：场效应管电路的静态分析方法可用图解法，不过由于场效应 管的伏安关系是平方律的，更多采用数学表达式直接求解静态工作点。 例题1、右图所示的电路中，管子参数为 nCoxW/(2L)=0.25mA/V2 VGS（th）=2V, 求ID 解: 由于IG =0 VG = VDD RG2 /(RG1 + RG2)=8V VGS= VG - VS =8 - IDRS 假设管子工作在饱和区，则 ID = [nCoxW/(2L)]( VGS - VGS（th）) 2 = 0.25(8 - 4ID - 2) 2 求得两个解，分别为 ID =2.25mA和1mA 其中ID =2.25mA求得 VS =9V造成VGS为 负值，显然不合理，故舍去，另一个解 ID =1mA求得VGS=4 V ， VDS =6V 满足 VGS> VGS（th） ， VDS > VGS — VGS（th）符合原先假设。 RG1 RG2 RD RS ID VG VS VDD