例题2、右图为采用双电源供电的EMOS电路 管子参数同上题,求求ID。 Q10 解:由于=0则VG=0 R Vs=V+IR=-10+4I 5K Vs=10 假设管子工作在饱和区,则 D=lun Cox W/(2L)IC VGs-VGs(th))2 0.25(10-41b-2)2 求得两个解,分别为L=284mA和141mA R 其中ID=2.84mA求得Vs=11.36V造成Vs为 1 M 4K 负值,显然不合理,故舍去,另一个解 o-10V ID=1.4lmA求得Ⅴas=4.36V,Vns=7.3V 满足Vas>Vos(t),Vn 合原先假设 2、动态小信号分析:与晶体三极管一样,场效应管电路的动态小信号分析方 法应先计算静态工作点,由静态工作点确定交流参数,画出交流等效电路 计算交流参数。详见下一章。 三、场效应管应用原理:在应用上,晶体三极管构成的功能电路一般也能用场效 应管来实现,如电流源和放大器,下面介绍由场效应管构成的有源电阻和模 拟开关,这些亦可用晶体三极管实现。例题2、右图为采用双电源供电的EMOS电路 管子参数同上题，求求ID。 解：由于IG =0 则 VG =0 VS = VS + IDRS = -10+ 4ID VGS= VG - VS =10 - 4ID 假设管子工作在饱和区，则 ID = [nCoxW/(2L)]( VGS - VGS（th）) 2 = 0.25(10 - 4ID - 2) 2 求得两个解，分别为 ID =2.84mA和1 .41 mA 其中ID =2. 84mA求得 VS =11 . 36V造成VGS为 负值，显然不合理，故舍去，另一个解 ID =1 . 41mA求得VGS=4 .36 V ， VDS =7 . 31V 满足 VGS> VGS（th） ， VDS > VGS — VGS（th）符合原先假设。 2、动态小信号分析：与晶体三极管一样，场效应管电路的动态小信号分析方 法应先计算静态工作点，由静态工作点确定交流参数，画出交流等效电路 计算交流参数。详见下一章。 三、场效应管应用原理：在应用上，晶体三极管构成的功能电路一般也能用场效 应管来实现，如电流源和放大器，下面介绍由场效应管构成的有源电阻和模 拟开关，这些亦可用晶体三极管实现。 RG RS RD VDD VSS ID VG VS