中国科学枝术大学物理系微电子专业 理论计算和实验结果均证实与SiO2栅介质相比，采用高K栅 介质后，在相同的EOT下， 栅泄漏电流可显著减小 100 10 105 EOT=1.0nm N,=5x1017cm3 SiO2 Poly Si/Sio, 104 Ngate=1x1020cm3 Benchmark 109 10 102 SigN4 10 Ta2Os 102 100 10-1 Al2O3 102 10-3 Hfo, 104 104 10-5 105 HfN/HfO,n-MOSCAP 10-6 10-7 Y2O3 'Zr02 习 W/O surface nitridation 10-8 108 0.0 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 Gate voltage (V) EOT(nm) 各种高K介质材料及SO2栅泄漏 实验测量的高K栅介质与 电流的理论计算结果 SO2栅泄漏电流比较 Principle of Semiconductor Devices 2022/12/25 8中国科学技术大学物理系微电子专业 2022/12/25 Sunday 8 Principle of Semiconductor Devices