中国科学技术大学物理系微电子专业 第六章：新型半导体器件 §6.1现代MOS器件 §6.2CCD器件 §6.3存储器件 §6.4纳米器件 §6.5功率器件 §6.6微波器件 §6.7光电子器件 §6.8量子器件 Principle of Semiconductor Devices 2022/12/25
中国科学技术大学物理系微电子专业 2022/12/25 Sunday 1 第六章： 新型半导体器件 §6.1 现代MOS器件 §6.2 CCD器件 §6.3 存储器件 §6.4 纳米器件 §6.5 功率器件 §6.6 微波器件 §6.7 光电子器件 §6.8 量子器件 Principle of Semiconductor Devices
中国科学技术大学物理系微电子专业 §6.1现代MOS器件 ULSI发展的两个主要方向：深亚微米与亚 0.1微米集成和系统的芯片集成 因此需要对深亚微米和亚0.1微米工艺、器 件和电路技术，器件的结构和相应的物理 机理的研究。微小MOSFET中的一些物理效 应，如器件尺寸变小，通常的一维器件模 型需要修正，出现二维、三维效应，同时 还会出现各种强电场效应。 Principle of Semiconductor Devices 2022/12/25 2
中国科学技术大学物理系微电子专业 2022/12/25 Sunday 2 §6.1 现代MOS器件 • ULSI发展的两个主要方向：深亚微米与亚 0.1微米集成和系统的芯片集成。 • 因此需要对深亚微米和亚0.1微米工艺、器 件和电路技术，器件的结构和相应的物理 机理的研究。微小MOSFET中的一些物理效 应，如器件尺寸变小，通常的一维器件模 型需要修正，出现二维、三维效应，同时 还会出现各种强电场效应。 Principle of Semiconductor Devices
中国科学技术大学物理系微电子专业 一、MOSFET的按比例缩小、 近20年来，恒压按比例缩小规则的使用比较成功 但随着工艺的发展，器件性能和集成密度进一步 提高，日前逐渐逼近其基本的物理极限 。 如果要进一步提高集成电路的性能，则需要考虑 更多的因素，而不仅仅是简单的按比例缩小器件 尺寸。需要同时在降低电源电压、提高器件性能 和提高器件可靠性等三个方面之间进行折衷选择。 金属栅和高K栅介质的应用 Principle of Semiconductor Devices 2022/12/25 3
中国科学技术大学物理系微电子专业 2022/12/25 Sunday 3 一、MOSFET的按比例缩小 • 近20年来，恒压按比例缩小规则的使用比较成功， 但随着工艺的发展，器件性能和集成密度进一步 提高，目前逐渐逼近其基本的物理极限。 • 如果要进一步提高集成电路的性能，则需要考虑 更多的因素，而不仅仅是简单的按比例缩小器件 尺寸。需要同时在降低电源电压、提高器件性能 和提高器件可靠性等三个方面之间进行折衷选择。 • 金属栅和高K栅介质的应用 Principle of Semiconductor Devices
中国科学技术大学物理系微电子专业 ·按比例缩小(Scaling down)的规则 不断缩小器件特征尺寸，是半导体集成电路技术发展的基本规律 90nm Node 2003 65nm Node -2003 为维持好的器 2005 件特征，保证 45nm Node -2012 栅对沟道载流 2007 32nm Node nano 子分布的有效 2009 控制，MOS器 22nm Node 50nm Length 2011 件特征尺寸在 (IEDM2002) 30nm 25m 16 nm nod 缩小过程中， Prototype 2013 (IEDM2000) 20nm Prototype 15m 各结构参数需 (VLSI2001) 要遵循一定的 15nm Prototype (IEDM2001) 规律，即按比 10nm Prototype 7nm (DRC2003) 例缩小规则。 Principle of Semiconductor Devices 2022/12/25 4
中国科学技术大学物理系微电子专业 2022/12/25 Sunday 4 Principle of Semiconductor Devices
中国科学技术大学物理系微电子专业 实验结果表明，在进行折衷的过程中，源、漏结 的参数，尤其是结深、RD和结的突变性是至关重 要的因素。尽管这种经验方法不是很理想，而且 难以符合基于基本物理规律的按比例缩小规则， 但是这种经验方法更准确、更实用一些。这是由 于当器件横向尺寸的变化使器件的纵、横向以及 其他各方向上的参数错综复杂地相互作用时，器 件的三维特性越加突出；同时由于基本物理极限 的限制，对亚0.1um器件的进一步缩小变得非常困 难，这主要包括超薄栅氧化层的制作；源、漏超 浅结的形成以及小尺寸器件必须在很低的电源电 压下工作所带来的问题等。截至目前为止，器件 和ULSI CMOS工艺发展的实际情况是器件的各个 部分都在缩小。 Principle of Semiconductor Devices 2022/12/25 5
中国科学技术大学物理系微电子专业 2022/12/25 Sunday 5 • 实验结果表明，在进行折衷的过程中，源、漏结 的参数，尤其是结深、RSD和结的突变性是至关重 要的因素。尽管这种经验方法不是很理想，而且 难以符合基于基本物理规律的按比例缩小规则， 但是这种经验方法更准确、更实用一些。这是由 于当器件横向尺寸的变化使器件的纵、横向以及 其他各方向上的参数错综复杂地相互作用时，器 件的三维特性越加突出；同时由于基本物理极限 的限制，对亚0.1μm器件的进一步缩小变得非常困 难，这主要包括超薄栅氧化层的制作；源、漏超 浅结的形成以及小尺寸器件必须在很低的电源电 压下工作所带来的问题等。截至目前为止，器件 和ULSI CMOS工艺发展的实际情况是器件的各个 部分都在缩小。 Principle of Semiconductor Devices
中国科学技术大学物理系微电子考业 •栅氧化层厚度缩小的物理限制 随器件特征尺寸的缩小，沟道长度、栅氧化层厚度、源漏与 沟道结深尺度需要按比例缩小(L∝TxX)。当栅氧化层厚 度缩小到2nm以下时，量子直接隧穿效应将变得非常显著。 E+03 E+02 SiO2 Gate Leakage Gate E+01 (from literature) Gate Oxide E+00 .E-01 .E-02 Source Drain .E-03 .E-04 Gate .E-05 .E-06 5 10 15 20 25 Physical Tox (A) Principle of Semiconductor Devices 2022/12/25 6
中国科学技术大学物理系微电子专业 2022/12/25 Sunday 6 Principle of Semiconductor Devices
中国科学技术大学物理系微电子考业 ·高K栅介质和金属栅电极的需求 利用高K栅介质替代SO,作为栅介质层材料，由于在维持相 同等效氧化层厚度的情形下，可使用厚的介质层厚度，从而 显著减小量子直接隧穿效应引起的栅泄漏电流。 等效氧化层厚度(Equivalent Gate Oxide Thickness,EOT)是指 厚度为t介电常数为6的介质 材料等效为SO,对应的厚度： Source Drain C= eH币 tox High K Gate Dielectric EOT= Hi Principle of Semiconductor Devices 2022/12/25 7
中国科学技术大学物理系微电子专业 2022/12/25 Sunday 7 Principle of Semiconductor Devices
中国科学枝术大学物理系微电子专业 理论计算和实验结果均证实与SiO2栅介质相比，采用高K栅 介质后，在相同的EOT下， 栅泄漏电流可显著减小 100 10 105 EOT=1.0nm N,=5x1017cm3 SiO2 Poly Si/Sio, 104 Ngate=1x1020cm3 Benchmark 109 10 102 SigN4 10 Ta2Os 102 100 10-1 Al2O3 102 10-3 Hfo, 104 104 10-5 105 HfN/HfO,n-MOSCAP 10-6 10-7 Y2O3 'Zr02 习 W/O surface nitridation 10-8 108 0.0 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 Gate voltage (V) EOT(nm) 各种高K介质材料及SO2栅泄漏 实验测量的高K栅介质与 电流的理论计算结果 SO2栅泄漏电流比较 Principle of Semiconductor Devices 2022/12/25 8
中国科学技术大学物理系微电子专业 2022/12/25 Sunday 8 Principle of Semiconductor Devices
中国科学技术大学物理系微电子考业 由于Si/SiO2 Gate +ve voltage appled) 纯硅基 MOS器件具 的SiO薄膜能 e e 够阻止更多 e e 硅与衬底 硅的功函数 高器件开 关速度。 然而，当特 首效应，显 著增大器件 PSub 上要求进一步 提高栅极电 T丁小甲VUZ公于义天u， 随之而来的 是栅电极漏电流的增加。当SiO2作为栅电极绝缘层的厚度低于5nm 时，漏电流变得无法忍受。 解决上述问题的方法就是使用高介电常数绝缘材料取代SO2,采 用高k介质材料可以在不增加电学厚度的前提下允许增加绝缘层厚 度，从而能够降低漏电流。 Principle of Semiconductor Devices 2022/12/25 9
中国科学技术大学物理系微电子专业 2022/12/25 Sunday 9 Principle of Semiconductor Devices 由于Si/SiO2良好的界面特性以及SiO薄膜的优异性能，纯硅基 MOS器件具有优异的界面性能和热稳定性，并且致密的SiO薄膜能 够阻止更多的氧气和水分子进入栅介质层。另外，多晶硅与衬底 硅的功函数差值较小，有利于降低器件的阈值电压，提高器件开 关速度。 然而，当特征长度降低至65nm节点时，就会出现短沟道效应，显 著增大器件的功耗。为控制短沟道效应，更小尺寸器件要求进一步 提高栅极电容，这通过不断减小栅氧化层厚度实现，但随之而来的 是栅电极漏电流的增加。当SiO2作为栅电极绝缘层的厚度低于5nm 时，漏电流变得无法忍受。 解决上述问题的方法就是使用高介电常数绝缘材料取代SiO2，采 用高k介质材料可以在不增加电学厚度的前提下允许增加绝缘层厚 度，从而能够降低漏电流
中国科学技术大学物理系微电子专业 经过反复实验，基于铪Hf的ig-k绝缘材料取代SiO2作为栅电 极的绝缘层，在一定程度上缓解SO2厚度减小引起的隧穿效应， 进而减小泄漏电流，降低器件功耗。然而，当特征长度降至 45nm时，多晶硅/高k基MOS器件出现严重的多晶硅耗尽效应。 多晶硅的高电阻率也严重影响了MOS器件的高频特性。 在早期的高介电常数材料研究中就己经发现了高k介质与多晶 硅栅电极不匹配的问题。这一问题不仅会导致在高介电材料 与多晶硅材料的界面上产生大量的缺陷，还会降低器件的电 子迁移率。后一问题是由于电荷散射而引起的，这也是将这 两种材料结合在一起的固有表现。因此金属栅代替多晶硅栅， 被用于纳米晶体管和先进晶体管结构。 金属栅极是为了和高k栅介质材料兼容提出的，一方面金属作 为良好导体，不会产生耗尽层，有效消除了多晶硅耗尽效应， 同时也使金属栅极无需通过参杂提高导电性。另一方面，与 多晶硅相比，金属栅极材料自由电子浓度远大于反型层载流 子浓度，使得金属栅极能有效抑制高k介质低能光学声子与沟 道载流子耦合，从而降低声子散射，提高载流子迁移率。 Principle of Semiconductor Devices 2022/12/25 10
中国科学技术大学物理系微电子专业 2022/12/25 Sunday 10 Principle of Semiconductor Devices 经过反复实验，基于铪Hf的hig-k绝缘材料取代SiO2作为栅电 极的绝缘层，在一定程度上缓解SiO2厚度减小引起的隧穿效应， 进而减小泄漏电流，降低器件功耗。然而，当特征长度降至 45nm时，多晶硅/高k基MOS器件出现严重的多晶硅耗尽效应。 多晶硅的高电阻率也严重影响了MOS器件的高频特性。 在早期的高介电常数材料研究中就已经发现了高k介质与多晶 硅栅电极不匹配的问题。这一问题不仅会导致在高介电材料 与多晶硅材料的界面上产生大量的缺陷，还会降低器件的电 子迁移率。后一问题是由于电荷散射而引起的，这也是将这 两种材料结合在一起的固有表现。因此金属栅代替多晶硅栅， 被用于纳米晶体管和先进晶体管结构。 金属栅极是为了和高k栅介质材料兼容提出的，一方面金属作 为良好导体，不会产生耗尽层，有效消除了多晶硅耗尽效应， 同时也使金属栅极无需通过掺杂提高导电性。另一方面，与 多晶硅相比，金属栅极材料自由电子浓度远大于反型层载流 子浓度，使得金属栅极能有效抑制高k介质低能光学声子与沟 道载流子耦合，从而降低声子散射，提高载流子迁移率
