中国科学技术大学物理系微电子考业 ·高K栅介质和金属栅电极的需求 利用高K栅介质替代SO,作为栅介质层材料，由于在维持相 同等效氧化层厚度的情形下，可使用厚的介质层厚度，从而 显著减小量子直接隧穿效应引起的栅泄漏电流。 等效氧化层厚度(Equivalent Gate Oxide Thickness,EOT)是指 厚度为t介电常数为6的介质 材料等效为SO,对应的厚度： Source Drain C= eH币 tox High K Gate Dielectric EOT= Hi Principle of Semiconductor Devices 2022/12/25 7中国科学技术大学物理系微电子专业 2022/12/25 Sunday 7 Principle of Semiconductor Devices