中国科学技术大学物理系微电子考业 •栅氧化层厚度缩小的物理限制 随器件特征尺寸的缩小，沟道长度、栅氧化层厚度、源漏与 沟道结深尺度需要按比例缩小(L∝TxX)。当栅氧化层厚 度缩小到2nm以下时，量子直接隧穿效应将变得非常显著。 E+03 E+02 SiO2 Gate Leakage Gate E+01 (from literature) Gate Oxide E+00 .E-01 .E-02 Source Drain .E-03 .E-04 Gate .E-05 .E-06 5 10 15 20 25 Physical Tox (A) Principle of Semiconductor Devices 2022/12/25 6中国科学技术大学物理系微电子专业 2022/12/25 Sunday 6 Principle of Semiconductor Devices