中国科学技术大学物理系微电子专业 实验结果表明，在进行折衷的过程中，源、漏结 的参数，尤其是结深、RD和结的突变性是至关重 要的因素。尽管这种经验方法不是很理想，而且 难以符合基于基本物理规律的按比例缩小规则， 但是这种经验方法更准确、更实用一些。这是由 于当器件横向尺寸的变化使器件的纵、横向以及 其他各方向上的参数错综复杂地相互作用时，器 件的三维特性越加突出；同时由于基本物理极限 的限制，对亚0.1um器件的进一步缩小变得非常困 难，这主要包括超薄栅氧化层的制作；源、漏超 浅结的形成以及小尺寸器件必须在很低的电源电 压下工作所带来的问题等。截至目前为止，器件 和ULSI CMOS工艺发展的实际情况是器件的各个 部分都在缩小。 Principle of Semiconductor Devices 2022/12/25 5中国科学技术大学物理系微电子专业 2022/12/25 Sunday 5 • 实验结果表明，在进行折衷的过程中，源、漏结 的参数，尤其是结深、RSD和结的突变性是至关重 要的因素。尽管这种经验方法不是很理想，而且 难以符合基于基本物理规律的按比例缩小规则， 但是这种经验方法更准确、更实用一些。这是由 于当器件横向尺寸的变化使器件的纵、横向以及 其他各方向上的参数错综复杂地相互作用时，器 件的三维特性越加突出；同时由于基本物理极限 的限制，对亚0.1μm器件的进一步缩小变得非常困 难，这主要包括超薄栅氧化层的制作；源、漏超 浅结的形成以及小尺寸器件必须在很低的电源电 压下工作所带来的问题等。截至目前为止，器件 和ULSI CMOS工艺发展的实际情况是器件的各个 部分都在缩小。 Principle of Semiconductor Devices