毕业要求 毕业要求指标点 课程目标 D 课程目标与 毕业要求的 对应关系 学时分配 章节内容 理论实践合计 第一章半导体材料、器件及基本工艺步骤 3 5 第二章晶体生长 4 0 第三章硅的氧化、光刻工艺 8 0 教学内容 第四章刻蚀和扩散工艺 8 0 第五章离子注入和薄膜沉积 0 第六章工艺集成及集成电路制造 5 6 合计 32 0 ☑课资进授口讨论座谈 口问题导向学习 ☑分组合作学习 教学方式 口专题学习 回实作学习 口探究式学习 ☑线上线下混合式学习 口其他 理程里改地入 授课 古撞课程 教学内容 (根据实际情况至少填写3 教学方式 教学安排 目标 次) 与手段 思政元素思政目标 D 课程目标与 毕业要求的 对应关系 毕业要求 毕业要求指标点 课程目标 E 教学内容 章节内容 学时分配 理论 实践 合计 第一章 半导体材料、器件及基本工艺步骤 3 5 第二章 晶体生长 4 0 6 第三章 硅的氧化、光刻工艺 8 0 14 第四章 刻蚀和扩散工艺 8 0 8 第五章 离子注入和薄膜沉积 4 0 6 第六章 工艺集成及集成电路制造 5 6 合 计 32 0 32 F 教学方式 课堂讲授 讨论座谈 问题导向学习 分组合作学习 专题学习 实作学习 探究式学习 线上线下混合式学习 其他 G 教学安排 授课 次别 教学内容 支撑课程 目标 课程思政融入 （根据实际情况至少填写3 次） 教学方式 与手段 思政元素 思政目标