典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺流程 底制备次氧化隨埋层光刻魔埋层扩散{外延淀积 基区光刻再氧化 隔离扩散 隔离光刻 热氧化 基区扩散□再分布及氧化一发射区光刻背面掺金发射区扩散 铝合金[反刻铝}[铝淀积]接触孔光刻再分布及氧化 淀积钝化层一压焊块光刻 中 zhang@fudan.edu.cn复旦大学张荣君rjzhang@fudan.edu.cn 复旦大学 张荣君 典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺流程 衬底制备 一次氧化 隐埋层扩散 外延淀积 再氧化 隔离扩散 隔离光刻 热氧化 基区扩散 再分布及氧化 发射区光刻 背面掺金 发射区扩散 反刻铝 铝淀积 接触孔光刻 隐埋层光刻 基区光刻 再分布及氧化 铝合金 淀积钝化层 压焊块光刻 中测