7.3扩散的方法：预淀积和推进扩散 7.4离子注入的原理和方法★ 7.5快速热退火 7.6掺杂曲线和结深 8、化学气相淀积(5课时)（支撑课程目标1） 8.1CVD的分类和应用★ 8.2 APCVD 8.3 LPCVD的原理和优势★ 8.4几种典型介质膜的淀积 8.5 PECVD及其应用 8.6ALD及其应用 8.7 MOCVD和MBE 9、 物理气相淀积和金属化 (5课时)（支撑课程目标1） 9.1PVD的分类和应用 9.2台阶覆盖★ 93蒸发的原理和方法 9.4藏射的原理和方法★ 95多是金属化 9.6CMP和平坦化 9.7铝金属化和铜金属化★ 10、隔离(5课时)（支撑课程目标2） 10.1隔离的要求和评价 10.2隔离方法的滨变 10.3L0c05,STm和s01★ 10.4实现S01的方法★ 11、工艺集成(6课时)（支撑课程目标2） 11.1基本的CM0S电路工艺集成★ 112BT电路工芳集成 T的结构以及短沟道效应的抑制★△ 4新型 12、工艺仿真介绍和实验案例讲解(3课时) 12.1工艺仿真软件简介（支撑课程目标3) 12.2仿真案例1：氧化和扩散（支撞程目标3） 12.3仿真案例2：L0c05 (支撞得目标4) 12.4仿真案例3：MFET★（支撑课程目标4) 实验★（支持课程目标4） I)工艺仿真软件SILVAC0运行（支撑课程目标3） 2)扩散工艺参数和埋层集电极BT的案例仿真（支撑课程目标3） 3)长沟道和短沟道MOSFET的仿真研究，工艺参数对器件短沟道效应的影响★ (支撑课程目标4)7.3 扩散的方法：预淀积和推进扩散 7.4 离子注入的原理和方法  7.5 快速热退火 7.6 掺杂曲线和结深 8、 化学气相淀积（5 课时）（支撑课程目标 1） 8.1 CVD 的分类和应用 8.2 APCVD 8.3 LPCVD 的原理和优势 8.4 几种典型介质膜的淀积 8.5 PECVD 及其应用 8.6 ALD 及其应用 8.7 MOCVD 和 MBE 9、 物理气相淀积和金属化（5 课时）（支撑课程目标 1） 9.1 PVD 的分类和应用 9.2 台阶覆盖  9.3 蒸发的原理和方法 9.4 溅射的原理和方法 9.5 多层金属化 9.6 CMP 和平坦化 9.7 铝金属化和铜金属化 10、隔离（5 课时）（支撑课程目标 2） 10.1 隔离的要求和评价 10.2 隔离方法的演变 10.3 LOCOS，STI 和 SOI 10.4 实现 SOI 的方法 11、工艺集成（6 课时）（支撑课程目标 2） 11.1 基本的 CMOS 电路工艺集成 11.2 BJT 电路工艺集成 11.3 现代小尺寸 MOSFET 的结构以及短沟道效应的抑制 11.4 新型纳米级 MOS 器件 12、工艺仿真介绍和实验案例讲解（3 课时） 12.1 工艺仿真软件简介（支撑课程目标 3） 12.2 仿真案例 1：氧化和扩散（支撑课程目标 3） 12.3 仿真案例 2：LOCOS （支撑课程目标 4） 12.4 仿真案例 3：MOSFET （支撑课程目标 4） 实验  （支持课程目标 4） 课时：3 周，共 9 课时 1）工艺仿真软件 SILVACO 运行（支撑课程目标 3） 2）扩散工艺参数和埋层集电极 BJT 的案例仿真（支撑课程目标 3） 3）长沟道和短沟道 MOSFET 的仿真研究，工艺参数对器件短沟道效应的影响  （支撑课程目标 4）