5.2SEM的像衬度原理及其应用 表面形貌与二次电子发射量之间的关系： 因此设入射电子在样品中的轨迹是沿图5-5中的x 轴上方向，并且入射电子的能量损失可以忽略不 计，这时由相距电子束入射点为x的dx处所产生的 二次电子量，在X轴的各点上都是相同的。令样品 表面的法线方向与x轴之间夹角为w,则dx处所产 生的二次电子到达样品表面所通过的最短距离便 为Cosw,而达到样品表面的二次电子量dl即可 表示为： dI=KecosWdx5.2 SEM的像衬度原理及其应用 表面形貌与二次电子发射量之间的关系： 因此设入射电子在样品中的轨迹是沿图5-5中的x 轴上方向，并且入射电子的能量损失可以忽略不 计，这时由相距电子束入射点为x的dx处所产生的 二次电子量，在x轴的各点上都是相同的。令样品 表面的法线方向与x轴之间夹角为ψ，则dx处所产 生的二次电子到达样品表面所通过的最短距离便 为xcosψ，而达到样品表面的二次电子量dIs即可 表示为： cos 1 ux ψ s dI K e dx  