d)保持物靶的位置不改变，按下“SENSOR”键（红灯亮起），在传感器扫描模式下， 手动旋转“ADJUST”,寻找一级反射K的计数率最大的位置； ©)保持传感器的位置不改变，按下TARGET”键，在物靶扫描模式下，手动旋转 “ADJUST”,寻找一级反射Ka的计数率最大位置； )耦合和扫描模式来回切换，寻找到计数率的最大位置； g)一旦确定此位置时的计数率最大，按下“COUPLED”键，在耦合扫描模式下， 物靶反向旋转（可能此时显示器上的角度为负值）； h)此时同时按下TARGET”、“COUPLED”、“BLIMITS”,此时的位置即为测量系 统的零点位置； i)启动软件X-ray Apparatus”,设置X光管的高压U=35.0KV,电流I=l.00mA, 测量时间，角步幅△B=0.1°，按下“COUPLED”键，再按键，设置下限为0.4°， 上限角为24°；按下SCAN”键，进行自动扫描，检查K的位置是否为计数率 最大的位置，如不是，再次上述的调零. 3)已知NaCI晶体的晶格常数(ao=564.02pm),测定X光波长 a)将NaCI标准单晶片固定在靶台上，启动软件X--ray Apparatus"按马或F4键清 屏； b)设置X光管的高压U=35.0KV,电流I=1.00mA,测量时间△1=3s~10s, 角步幅△B=0.1°，按COUPLED键，再按键，设置下限角为4.0°，上限角为 24°； c)按SCAN键进行自动扫描；扫描完毕后，按宝或F2键存储文件； )根据实验结果计算晶体的晶格常数. 4)已知X光波长，测定未知晶体的晶格常数 3.X射线衰减 1)吸收体的安装 仔细装上准直器，将吸收体系列的滑槽放进靶支架的90弯曲的狭缝中，并尽可能 的滑进靶支架。关闭铅玻璃门按ZERO键，使测角器归零。 2)测量背景影响 设置X光管的高压U=OKV,电流OmA,角步幅△B=0°，测量时间 △t=300s。测量光强。 3)X射线衰减与吸收体厚度的关系 ①直准器前没安装锆滤片(Zr) 按ZERO键，使测角器归零。 a、设置X光管的高压U=21KV,电流I0.05mA,角步幅△B=0°，测量时 间△1=100s。 .9-- 9 - d) 保持物靶的位置不改变，按下“SENSOR”键（红灯亮起），在传感器扫描模式下， 手动旋转“ADJUST”，寻找一级反射 Kα的计数率最大的位置； e) 保持传感器的位置不改变，按下“TARGET”键，在物靶扫描模式下，手动旋转 “ADJUST”，寻找一级反射 Kα的计数率最大位置； f) 耦合和扫描模式来回切换，寻找到计数率的最大位置； g) 一旦确定此位置时的计数率最大，按下“COUPLED”键，在耦合扫描模式下， 物靶反向旋转θ1（可能此时显示器上的角度为负值）； h) 此时同时按下“TARGET”、“COUPLED”、“β-LIMITS”，此时的位置即为测量系 统的零点位置； i) 启动软件“X-ray Apparatus”，设置 X 光管的高压 U = 35.0 KV，电流 I =1.00 mA， 测量时间，角步幅Δβ = 0.1 °，按下“COUPLED”键，再按β键，设置下限为 0.4 °， 上限角为 24 °；按下“SCAN”键，进行自动扫描，检查 Kα的位置是否为计数率 最大的位置，如不是，再次上述的调零． 3) 已知 NaCl 晶体的晶格常数（a0=564.02pm），测定 X 光波长 a) 将 NaCl 标准单晶片固定在靶台上，启动软件“X-ray Apparatus”按 或 F4 键清 屏； b) 设置 X 光管的高压 U = 35.0 KV，电流 I = 1.00 mA，测量时间Δt = 3 s ~ 10 s， 角步幅Δβ = 0.1 °，按 COUPLED 键，再按β键，设置下限角为 4.0 °，上限角为 24 °； c) 按 SCAN 键进行自动扫描；扫描完毕后，按 或 F2 键存储文件； d) 根据实验结果计算晶体的晶格常数． 4) 已知 X 光波长，测定未知晶体的晶格常数 3．X 射线衰减 1) 吸收体的安装 仔细装上准直器，将吸收体系列的滑槽放进靶支架的90° 弯曲的狭缝中，并尽可能 的滑进靶支架。关闭铅玻璃门.按 ZERO 键，使测角器归零。 2）测量背景影响 设置 X 光管的高压 U=0KV，电流 I=0mA，角步幅 0 o Δ = β ，测量时间 Δ = t s 300 。测量光强。 3）X 射线衰减与吸收体厚度的关系 ①直准器前没安装锆滤片（Zr） 按 ZERO 键，使测角器归零。 a、设置 X 光管的高压 U=21KV，电流 I=0.05mA，角步幅 0 o Δ = β ，测量时 间 Δ =t s 100