b按TARGET键，用ADJUST旋钮，使靶的角度依次为0°、10°、20°、30°、 40°、50°、60°（每转动10°吸收体厚度增加0.5mm)。 C、分别按SCAN键进行自动扫描、扫描完毕后，按REPLAY键，读取数据。 绘制透射率随厚度d变化图、透射率对数值随d变化图，利用线性拟合得到 线衰减系数μ。 (选做)分别改变高压和管流，实验结果如何？ ②直准器前安装锆滤片(Zr) 按ZERO键，使测角器归零。重复①工作。 ③绘制透射率随厚度d变化图、透射率对数值随d变化图，利用线性拟合得到 线衰减系数μ。 4)X射线衰减与吸收体物质（原子序数）的关系 ①、直准器前没安装锆滤片(Z) 按ZERO键，使测角器归零 设置X光管的高压U=30KV,电流=1.00mA,角步幅△B=0°，测量 时间△1二3005。（可适当调整电流和测量时间，获得合适的计数） b. 按TARGET键，用ADJUST旋钮，使靶的角度依次为0°、10°、20°、30°、 40°、50°、60°。（每转动约10°吸收体物质发生改变）。 c. 按SCAN键进行自动扫描。 d 扫描完毕后，按REPLAY键，读取数据。 e. 绘制线衰减系数μ随原子序数Z变化图。 ②直准器前安装锆滤片(Zr) 按ZERO键，使测角器归零，重复①工作。 ③绘制线衰减系数μ随原子序数Z变化图。 【注意事项】 (1) 在铅玻璃门打开时不得打开X光管高压。 (2)要带一次性手套安装吸收体、准直器等。操作时，要尽可能小心。 (3)NaCI单晶片和未知晶体单晶片价格较高(1000元/片)，因此请各位同学在 取用单晶片时小心操作，防止将其摔裂或摔碎 【思考题】 1.为什么钼靶受电子轰击的面呈斜面？ 2.假设阴极钨丝和阳极钼靶间的距离为2cm,设电子的初速度为零，试计算用50KV -10-- 10 - b、按 TARGET 键，用 ADJUST 旋钮，使靶的角度依次为0o 、10o 、20o 、30o 、 40o 、50o 、60o （每转动10o 吸收体厚度增加 0.5mm）。 c、分别按 SCAN 键进行自动扫描、扫描完毕后，按 REPLAY 键，读取数据。 绘制透射率随厚度 d 变化图、透射率对数值随 d 变化图，利用线性拟合得到 线衰减系数 μ。 （选做）分别改变高压和管流，实验结果如何？ ②直准器前安装锆滤片（Zr） 按 ZERO 键，使测角器归零。重复①工作。 ③绘制透射率随厚度 d 变化图、透射率对数值随 d 变化图，利用线性拟合得到 线衰减系数 μ。 4）X 射线衰减与吸收体物质（原子序数）的关系 ①、直准器前没安装锆滤片（Zr） 按 ZERO 键，使测角器归零 a. 设置 X 光管的高压 U=30KV，电流 I=1.00mA，角步幅 0 o Δ = β ，测量 时间 Δ = t s 300 。（可适当调整电流和测量时间，获得合适的计数） b. 按 TARGET 键，用 ADJUST 旋钮，使靶的角度依次为0o 、10o 、20o 、30o 、 40o 、50o 、60o 。（每转动约10o 吸收体物质发生改变）。 c. 按 SCAN 键进行自动扫描。 d. 扫描完毕后，按 REPLAY 键，读取数据。 e. 绘制线衰减系数 μ 随原子序数 Z 变化图。 ②直准器前安装锆滤片（Zr） 按 ZERO 键，使测角器归零，重复①工作。 ③绘制线衰减系数 μ 随原子序数 Z 变化图。 【注意事项】 （1） 在铅玻璃门打开时不得打开 X 光管高压。 （2） 要带一次性手套安装吸收体、准直器等。操作时，要尽可能小心。 （3）NaCl 单晶片和未知晶体单晶片价格较高（1000 元/片），因此请各位同学在 取用单晶片时小心操作，防止将其摔裂或摔碎 【思考题】 1． 为什么钼靶受电子轰击的面呈斜面？ 2． 假设阴极钨丝和阳极钼靶间的距离为 2 cm，设电子的初速度为零，试计算用 50 KV