(2) GaAs a)Eg(300K)=1428eV,Eg(0K)=1.522eV b)直接能隙结构; c)Eg负温度系数特性:dEg/dT=-395×104eVK 1-5、解 (1)由题意得 de-o lae Isin( ka)-3cos(ka) dE=0. la Eo[cos(ka)+3sin( ka)l d-k de 令=0,得1g(ka) ka=18.4349°,k2a=1984349 当ka=184349° d=0.la2E0(cos184349+3smn18.4349)=228×100, 对应能带极小值 对应能带般=012E(03198434935m1984349)=-228×100<0 当k,a=1984349° 则能带宽度△E=Emax-Emin=1.1384I 肌动可 =1.925×10-2(kg) 2.28×10-40 h2 duk 6625×10-4) 1925×10-2(kg) 答:能带宽度约为1.1384E,能带顶部电子的有效质量约为1925x102kg,能带 底部电子的有效质量约为1.925X1027kg。 第二篇习题半导体中的杂质和缺陷能级 刘诺编 2-1、什么叫浅能级杂质?它们电离后有何特点? 22、什么叫施主?什么叫施主电离?施主电离前后有何特征?试举例说明之, 并用能带图表征出n型半导体。（2） GaAs： a）Eg（300K）= 1.428eV， Eg (0K) = 1.522eV； b）直接能隙结构； c）Eg 负温度系数特性： dEg/dT = -3.95×10-4eV/K； 1-5、 解： （1） 由题意得：   0.1 cos( ) 3sin( ) 0.1 sin( ) 3cos( ) 0 2 2 2 0 a E ka ka d k dE aE ka ka dk dE = + = − E E E eV a E d k dE k a a E d k dE k a k a k a t g k a dk dE o o o o max min 1.1384 198.4349 , 0.1 (cos198.4349 3sin 198.4349) 2.28 10 0, 18.4349 , 0.1 (cos18.4349 3sin 18.4349) 2.28 10 0, 18.4349 , 198.4349 3 1 0, 4 0 0 2 2 2 2 4 0 0 2 2 2 1 1 2  = − = = = + = −   = = + =    = = = = − − 则能带宽度 对应能带极大值。 当 对应能带极小值； 当 令 得 （ ） （2） ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )          = −           −   =              = =             =              = − − − − − − − − − − k g d k dE h m k g d k dE h m k n k n 2 7 1 2 3 4 4 0 1 2 2 2 * 2 7 1 2 3 4 4 0 1 2 2 2 * 1.925 10 6.625 10 1 2.28 10 1.925 10 6.625 10 1 2.28 10 2 1 带顶 带底 则 答：能带宽度约为 1.1384Ev，能带顶部电子的有效质量约为 1.925x10-27kg，能带 底部电子的有效质量约为-1.925x10-27kg。 第二篇 习题-半导体中的杂质和缺陷能级 刘诺 编 2-1、什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？ 2-2、什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特征？试举例说明之， 并用能带图表征出 n 型半导体