2-3、什么叫受主?什么叫受主电离?受主电离前后有何特征?试举例说明之, 并用能带图表征出p型半导体 24、掺杂半导体与本征半导体之间有何差异?试举例说明掺杂对半导体的导电 性能的影响。 2-5、两性杂质和其它杂质有何异同? 26、深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响? 2-7、何谓杂质补偿?杂质补偿的意义何在? 第二篇题解半导体中的杂质与缺陷能级 刘诺编 2-1、解:浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。 它们电离后将成为带正电(电离施主)或带负电(电离受主)的离子 并同时向导带提供电子或向价带提供空穴 2-2、解:半导体中掺入施主杂质后,施主电离后将成为带正电离子,并同时向 导带提供电子,这种杂质就叫施主。 施主电离成为带正电离子(中心)的过程就叫施主电离 施主电离前不带电,电离后带正电。例如,在Si中掺P,P为V族元素, 本征半导体Si为Ⅳ族元素,P掺入Si中后,P的最外层电子有四个与Si 的最外层四个电子配对成为共价电子·而P的第五个外层电子捋受到热激发挣脱 原子实的束缚进入导带成为自由电子。这个过程就是施主电离。 n型半导体的能带图如图所示:其费米能级位于禁带上方 2-3、解:半导体中掺入受主杂质后,受主电离后将成为带负电的离子,并同时 向价带提供空穴,这种杂质就叫受主 受主电离成为带负电的离子(中心)的过程就叫受主电离。 受主电离前带不带电,电离后带负电。 例如,在Si中掺B,B为Ⅲ族元素,而本征半导体Si为Ⅳ族元素,P 掺人B中后,B的最外层三个电子与Si的最外层四个电子配对成为共价电子 而B倾向于接受一个由价带热激发的电子。这个过程就是受主电离 p型半导体的能带图如图所示:其费米能级位于禁带下方2-3、什么叫受主？什么叫受主电离？受主电离前后有何特征？试举例说明之， 并用能带图表征出 p 型半导体。 2-4、掺杂半导体与本征半导体之间有何差异？试举例说明掺杂对半导体的导电 性能的影响。 2-5、两性杂质和其它杂质有何异同？ 2-6、深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响？ 2-7、何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？ 第二篇 题解 半导体中的杂质与缺陷能级 刘诺 编 2-1、解：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。 它们电离后将成为带正电（电离施主）或带负电（电离受主）的离子， 并同时向导带提供电子或向价带提供空穴。 2-2、解：半导体中掺入施主杂质后，施主电离后将成为带正电离子，并同时向 导带提供电子，这种杂质就叫施主。 施主电离成为带正电离子（中心）的过程就叫施主电离。 施主电离前不带电，电离后带正电。例如，在 Si 中掺 P，P 为Ⅴ族元素， 本征半导体 Si 为Ⅳ族元素，P 掺入 Si 中后，P 的最外层电子有四个与 Si 的最外层四个电子配对成为共价电子，而 P 的第五个外层电子将受到热激发挣脱 原子实的束缚进入导带成为自由电子。这个过程就是施主电离。 n 型半导体的能带图如图所示：其费米能级位于禁带上方 2-3、解：半导体中掺入受主杂质后，受主电离后将成为带负电的离子，并同时 向价带提供空穴，这种杂质就叫受主。 受主电离成为带负电的离子（中心）的过程就叫受主电离。 受主电离前带不带电，电离后带负电。 例如，在 Si 中掺 B，B 为Ⅲ族元素，而本征半导体 Si 为Ⅳ族元素，P 掺入 B 中后，B 的最外层三个电子与 Si 的最外层四个电子配对成为共价电子， 而 B 倾向于接受一个由价带热激发的电子。这个过程就是受主电离。 p 型半导体的能带图如图所示：其费米能级位于禁带下方