Poly Gate Structure Process 晶体管中栅结构的制作是流程当中最关键的一步,因 为它包含了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的形成 而后者是整个集成电路工艺中物理尺度最小的结构。 1)栅氧化层的生长 2)多晶硅淀积 3)第四层掩膜,多晶硅栅 4)多晶硅栅刻蚀 Photoresist Thin gate etch Films ⑤9X、图 Diffusion Photo Etch n-well p-well p-Epitaxial layer p+ silicon substrate 半导体制造技术 电信学院微电子教研室 Figure 9.13 by michael Quirk and Julian Serda半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda 三、Poly Gate Structure Process 晶体管中栅结构的制作是流程当中最关键的一步，因 为它包含了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的形成 ，而后者是整个集成电路工艺中物理尺度最小的结构。 1）栅氧化层的生长 2）多晶硅淀积 3）第四层掩膜，多晶硅栅 4）多晶硅栅刻蚀 Thin Films 1 2 Diffusion Photo Etch Implant Polish 3 4 p+ Silicon substrate 1 Gate oxide 2 p- Epitaxial layer n-well p-well Polysilicon deposition 4 Poly gate etch 3 Photoresist ARC Figure 9.13