32113C谱化学位移的决定因素是顺磁屏蔽 抗磁屏蔽,Lamb公式: n=3c2 顺磁屏蔽, Karplus与 Pople公式: e hi 加m℃C2(AE)1(r-3).[QAA+∑QAB (△E)1:平均电子激发能的倒数 2p电子和核距离立方倒数的平均值 Q:所考虑核的2p轨道电子的电子密度 Qg:所考虑核与其相连的核的键之键级 负号表示顺磁屏蔽,冋越大,去屏蔽越强,其共振 位置越在低场3.2.1 13C谱化学位移的决定因素是顺磁屏蔽 抗磁屏蔽，Lamb公式： d i i e mC = r −  2 2 1 3 顺磁屏蔽，Karplus与Pople公式： p p AA AB B e h m C = − E r Q + Q − −  2 2 2 2 1 3 2 3 ( ) [ ] (E) -1 : 平均电子激发能的倒数 r -32p: 2p电子和核距离立方倒数的平均值 QAA: 所考虑核的2p轨道电子的电子密度 QAB: 所考虑核与其相连的核的键之键级 负号表示顺磁屏蔽，|p |越大，去屏蔽越强，其共振 位置越在低场