讨论: 1)△E大,(△E)小,l小,去屏蔽弱,其共振位置在高场; 例:饱和烷烃σ→σ,△E大,共振位置在高场 羰基n→兀,△E小,共振位置在低场 2)Q的影响:Q相差不大,QAB则变化较大; AB P、(P、+P,)+P、P XAX B yAYB ZAZ B yAYB ZAZB X 由两个2po原子轨道生成的σ键键级 AAB dAy ZAZB 两个π键键级 3)2p轨道电子密度的影响:电子密度增加,2p轨道扩大,r3 减小,同σn亦减小,去屏蔽弱,其共振位置在高场。 例:化学位移与π电子密度的线性关系;电负性取代基讨论： 1） E大，(E) -1小，|p |小，去屏蔽弱，其共振位置在高场； 例：饱和烷烃  → * ， E大，共振位置在高场 羰基 n → * ， E 小，共振位置在低场 QAB Px Ax Py y Pz z Py y Pz z B A B A B A B A B = − + + 2 3 [ ( ) ] Px A xB 由两个2p原子轨道生成的 键键级 Py A y Pz z B A B , 两个  键键级 3） 2p轨道电子密度的影响：电子密度增加，2p轨道扩大，r -3 减小，|p |亦减小，去屏蔽弱，其共振位置在高场。 例：化学位移与电子密度的线性关系；电负性取代基 2） Q的影响：QAA相差不大，QAB则变化较大；