如SCl4:VB理论认为Si采取sp3杂化与C单e配对 但离子键理论认为:Si4++4Cl→SiCl4 2、离子都是球形,各离子±e重心重合,带e,有r,有e构 型 泛形 3、离彡姐互靠ˇ发生极化变 ++ 产生诱 称为离子极化诱+诱 因⊕e云紧密而⊙松弛如rNa+)=098,r(C)=1.81A 作为近似⊕主要考虑其电场,⊙主要考虑其变形 ·4、正离子使负离子极化变形的能力——⊕的极化力( fkx/r k与电子构型有关,x正离子电荷,r半径 是正离子产生电场强度的量度,八,x↑,→f个 k:(18e,2e,18+2e,8+2e)>9~17e>8e 这与z的变化规律一致:• 如SiCl4：VB理论认为Si 采取 sp3 杂化与Cl单e配对 • 但 离子键理论认为：Si4+ + 4Cl- ➔ SiCl4 • 2、离子都是球形, 各离子±e重心重合, 带e, 有r, 有e构 型 • 3、离子相互靠近时, 发生极化变形, 各离子内部产生μ诱 因⊕e云紧密而⊙松弛,如 r(Na+ )=0.98，r(Cl- )=1.81 Å 作为近似,⊕主要考虑其电场, ⊙主要考虑其变形 • 4、正离子使负离子极化变形的能力——⊕的极化力(f) f=k(x/r) k—与电子构型有关, x—正离子电荷，r—⊕半径 • ∴ f是正离子产生电场强度的量度，r↓, x↑, k↑ ➔ f ↑ k：(18e, 2e, 18+2e, 8+2e) > 9~17e > 8e • 这与Z’的变化规律一致： + - -++ -- + 称为离子极化 μ诱+ μ诱-