5.a-Si:H中的亚稳态 弱健 弱的Si-Si键、悬挂键以及被H饱和的Si-H键 1.0 未渗杂a-Si:H40μm 0.8 退火温度 250°C 200°C 0.6 225°C si 0.4 女 0.2 室温光照 200℃退火 ⑨ 威 10 102 103 109 105 时间(sec) 很容易通过外加能量使a-Si:H的结构偏离它 H调控的弱键与悬挂键的相互转化 的初始状态5. α-Si:H中的亚稳态 弱的Si-Si键、悬挂键以及被H饱和的Si-H键 时间 归一化缺陷密度 未掺杂α-Si:H 40μm 退火温度 室温光照 200℃退火 弱键 很容易通过外加能量使a-Si:H的结构偏离它 H调控的弱键与悬挂键的相互转化 的初始状态