价带迁移率边 导带迁移率边 1022 4.a-Si:H的态密度分布 迁移率带隙 1021 价带尾 导带尾 尾态 10201 1019 1018 深隙态 扩展态 1017 1016 1015 1014 Ev: 扩展态 0.0 0.20.40.60.81.01.21.41.61.8 能量(Er-Ev)(eV) (1)每个原子的价键要求被满足，保持了与晶态同样的共价键数，形成基本的能带。 (2)由于键长和键角的涨落，形成定域态带尾。带尾定域态的能量范围较窄 带尾状态与较弱的Si-Si键有关 (3)在定域态带尾与扩展态之间存在明显的分界限，即迁移率边E。和Ey。存在迁移率带隙 (4)由于悬挂键造成带隙中间的状态一一带隙态 有两种状态：受主能级高于施主能级 (5)若N（EF)较高，E被钉扎。 非晶体中存在扩展态（导带和价带）、局域态（导带尾和价带尾）以及带隙态。（1）每个原子的价键要求被满足，保持了与晶态同样的共价键数，形成基本的能带。 （2）由于键长和键角的涨落，形成定域态带尾。带尾定域态的能量范围较窄 （3）在定域态带尾与扩展态之间存在明显的分界限，即迁移率边EC和EV。存在迁移率带隙 （4）由于悬挂键造成带隙中间的状态——带隙态 （5）若N（EF）较高， EF被钉扎。 带尾状态与较弱的Si-Si键有关 非晶体中存在扩展态（导带和价带）、局域态（导带尾和价带尾）以及带隙态。 有两种状态：受主能级高于施主能级 4. α-Si:H的态密度分布 能量(EF-Ev)(eV) 深隙态 尾 态 价带尾 导带尾 迁移率带隙 价带迁移率边 导带迁移率边 扩展态 扩展态 DOS(cm-3eV-1)