第章半导体传感器 图9-2()为薄膜型器件。它采用蒸发或溅射工艺,在石英基 片上形成氧化物半导体薄膜(其厚度约在100mm以下),制作方 法也很简单。实验证明,SnO2半导体薄膜的气敏特性最好,但 这种半导体薄膜为物理性附着,因此器件间性能差异较大。 半导体 0.5mm电极 0.6m 绝缘基片 加热器电极 3 mm (b)薄膜型器件;第9章 半导体传感器 图9-2(b)为薄膜型器件。它采用蒸发或溅射工艺，在石英基 片上形成氧化物半导体薄膜（其厚度约在100nm以下），制作方 法也很简单。 实验证明，SnO2半导体薄膜的气敏特性最好， 但 这种半导体薄膜为物理性附着，因此器件间性能差异较大。 0.6 mm 半 导 体 0.5 mm 电 极 加 热 器 电 极 绝 缘 基 片 (a) 电 极 (铂 丝 ) 氧 化 物 半 导 体 加 热 器 玻 璃 (尺 寸 约 1 mm， 也 有 全 为 半 导 体 的 ) 3 mm (b) 3 mm (b) 薄膜型器件；