将怎样? 3-、含受主浓度为8.0×10cm3和施主浓度为725×107cm3的Si材料,试求 温度分别为300K和400K时此材料的载流子浓度和费米能级的相对位置。 35、试分别计算本征Si在77K、300K和500K下的载流子浓度。 36、Si样品中的施主浓度为45×1016cm3,试计算300K时的电子浓度和空穴 浓度各为多少? 3-7、某掺施主杂质的非简并Si样品,试求E=(EC+Ep)/时施主的浓度。 第三篇题解半导体中载流子的统计分布 刘诺编 31、证明:设mn为n型半导体的电子浓度,m为本征半导体的电子浓度。显然 nn> ni 即Nexl Er>N-expl-E -. 则Ep>E 变 UU 3-2、解 量越小,所以受激发的载流子浓度随着禁带宽度的变窄而增加所需的能 (1)在一定的温度下,对本征材料而言,材料的禁带宽度越窄,则跃 由公式 也可知道,温度不变而减少本征材料的禁带宽度,上式中的指数项将因此而增 加,从而使得载流子浓度因此而增加。 2)对一定的材料,当掺杂浓度一定时,温度越高,受激发的载流子将因此而 增加。由公式将怎样？ 3-4、含受主浓度为 8.0×106cm-3和施主浓度为 7.25×1017cm-3 的 Si 材料，试求 温度分别为 300K 和 400K 时此材料的载流子浓度和费米能级的相对位置。 3-5、试分别计算本征 Si 在 77K、300K 和 500K 下的载流子浓度。 3-6、Si 样品中的施主浓度为 4.5×1016cm-3，试计算 300K 时的电子浓度和空穴 浓度各为多少？ 3-7、某掺施主杂质的非简并 Si 样品，试求 EF=（EC+ED）/2 时施主的浓度。 第三篇 题解 半导体中载流子的统计分布 刘诺 编 3-1、证明：设 nn为 n 型半导体的电子浓度，ni 为本征半导体的电子浓度。显然 nn> ni n i n i F F c F c c F c E E k T E E N k T E E N          −   −         −  − 则 即 0 0 exp exp 即 得 证。 3-2、解： (1) 在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，则跃迁所需的能 量越小，所以受激发的载流子浓度随着禁带宽度的变窄而增加。 由公式 k T E i c v g n N N e 2 0 − = 也可知道，温度不变而减少本征材料的禁带宽度，上式中的指数项将因此而增 加，从而使得载流子浓度因此而增加。 （2）对一定的材料，当掺杂浓度一定时，温度越高，受激发的载流子将因此而 增加。由公式