EC-Er Er-Er T 可知,这时两式中的指数项将因此而增加,从而导致载流子浓度增加。 33、解:由1Pb=n 得 5×109 1.0×10 225×10 n25×109) ≈33×103(c 68×10 可见 P→本征半导体 n2>pa2→n型半导体 又因为Pb=Ne47 则 E=E+kt. En+0.026h 1.1×10 E.+0.234e 1.0×10 E2=En+kThn|=En+00206/1.1×109 =E.+0.33lel 3.3×10 假如再在其中都掺入浓度为225×1016cm3的受主杂质,那么将出现杂质补 偿,第一种半导体补偿后将变为p型半导体,第二种半导体补偿后将近似为本 征半导体 答:第一种半导体中的空穴的浓度为1.1x1010cm3,费米能级在价带上方0.234eV 处;第一种半导体中的空穴的浓度为33X103cm3,费米能级在价带上方0331eV 处。掺入浓度为225×10cm3的受主杂质后,第一种半导体补偿后将变为p型 半导体,第二种半导体补偿后将近似为本征半导体。 34、解:由于杂质基本全电离,杂质补偿之后,有效施主浓度 Nn=N-N,≈7.25×1017c 则300K时, 电子浓度 n2(300k)≈ND=725×10cm P(300k)=n_(1.5×10 空穴浓度 725×10 ≈311×10(m2) 费米能级可知， 这时两式中的指数项将因此而增加，从而导致载流子浓度增加。 3-3、解：由 2 n0 p0 = ni 得 ( ) ( ) ( ) ( )            = = =    = = − − 3 3 16 2 10 02 2 02 10 3 10 2 10 01 2 01 3.3 10 6.8 10 1.5 10 1.0 10 2.25 10 1.5 10 cm n n p cm n n p i i 可见， 型半导体 本征半导体 n p n n p  →  → 02 02 01 01 又因为 k T E E v F v p N e 0 0 − − = ，则        = +           = +          = +   +           = +          = +  E E eV p N E E k T E E eV p N E E k T v v n F v v v v F v 0.331 3.3 10 1.1 10 ln 0.026 ln 0.234 1.0 10 1.1 10 ln 0.026 ln 3 1 9 0 2 2 0 1 0 1 9 0 1 1 0 假如再在其中都掺入浓度为 2.25×1016cm-3的受主杂质，那么将出现杂质补 偿，第一种半导体补偿后将变为 p 型半导体，第二种半导体补偿后将近似为本 征半导体。 答：第一种半导体中的空穴的浓度为 1.1x1010cm-3 ,费米能级在价带上方 0.234eV 处；第一种半导体中的空穴的浓度为 3.3x103cm-3 ,费米能级在价带上方 0.331eV 处。掺入浓度为 2.25×1016cm-3 的受主杂质后，第一种半导体补偿后将变为 p 型 半导体，第二种半导体补偿后将近似为本征半导体。 3-4、解：由于杂质基本全电离，杂质补偿之后，有效施主浓度 * 17 3 7.25 10 − ND = ND − NA   cm 则 300K 时， 电子浓度 ( ) 17 3 0 300 7.25 10 − n K  ND =  cm 空穴浓度 ( ) ( ) ( ) 2 3 17 2 10 0 0 3.11 10 7.25 10 1.5 10 300 −     = = cm n n p K i 费米能级         − = −         − =  − k T E E p N k T E E n N F V V c F c 0 0 0 0 exp 和 exp