§9.2屏蔽库仑势和电离杂质散射 在§42中我们对电离杂质散射己经进行过初步讨论.在这 节中我们进一步考虑自山载流子的屏蔽作州 屏蔽库仑势 在§4.2中曾经指出,晶体中的自由载流了对电离杂质屮心 有屏蔽作用.在没有任何附加势的晶体中,自由载流子是均匀分 布的.电离中心的电荷引起的附加势使载流子在荷电中心附近偏 离该均匀分布.对于n型导电的情形,电千在荷电的电离施主 附近有较低的势能,因此有较高的浓度.如果离电离中心很远处 载流子浓度为n,则在中心附近有 Rn已 (9-2-1 V(r)为中心引起的附加势.由之引起的附加电荷密度为 elr(r)--20]=-enole k,i (92-9) 第…步考虑到在屏蔽效应较为重要的范围内有|eⅣ水kT,因而 有exp(e/k)≌1eV/k 求解球对称泊松方程: [rV(r) p(r) (9-2-3 代入式(9-2-2)的p,整理后可得 d-lrv(r)]eRo[rI(r)] irv(r)] (9-2-4) 式中L为德拜长度,即( eost/e2n)1,上式的解为 v(r)=Ae (9-2-5) 502