由此可见,实现掩蔽扩散要求的SiO2厚度与 杂质在SiO和Si中的扩散系数有关,原则上讲, 只要ⅹ能满足上式不等式,就可起到杂质扩散 的掩蔽作用,但实际上只有那些D≤D的杂质 用Si0掩蔽才有实用价值,否则所需的Si0厚度 就很厚,既难于制备,又不利于光刻 但是,只要按照D≤D的条件选择杂质 种类,就可实现掩蔽扩散的作用。研究发现,B P在Si0中的扩散系数比在Si中的扩散系数小, 所以。常常选择B、P作为扩散的杂质种类。而 对于Ga、A1等杂质,情况则相反。 值得注意的是,Au虽然在Si0中的扩散系 数很小,但由于在Si中的扩散系数太大,这样 以来横向扩散作用也大,所以也不能选用由此可见，实现掩蔽扩散要求的SiO2厚度与 杂质在SiO2和Si中的扩散系数有关，原则上讲， 只要 能满足上式不等式，就可起到杂质扩散 的掩蔽作用，但实际上只有那些 的杂质， 用SiO2掩蔽才有实用价值，否则所需的SiO2厚度 就很厚，既难于制备，又不利于光刻。 但是，只要按照 的条件选择杂质 种类，就可实现掩蔽扩散的作用。研究发现，B、 P在SiO2中的扩散系数比在Si中的扩散系数小， 所以。常常选择B、P 作为扩散的杂质种类。而 对于Ga、Al等杂质，情况则相反。 值得注意的是，Au虽然在SiO2中的扩散系 数很小，但由于在Si中的扩散系数太大，这样 以来横向扩散作用也大，所以也不能选用。 0 x D0  D D0  D