二氧化硅另外一个优点是在所有介质膜中 它的热膨胀系数与硅最接近 7.13表面绝缘层 Si02作为绝缘层也是器件工艺的一个重要 组成部分。作为绝缘层要求必须是连续的,膜 中间不能有空洞或孔存在。另外要求必须有 定的厚度,绝大多数晶园表面被覆盖了一层足 够厚的氧化层来防止从 金属层产生的感应,这金属层 时的S0称为场氧化物。氧化层→图么 如图所示 片二氧化硅另外一个优点是在所有介质膜中 它的热膨胀系数与硅最接近。 7.1.3 表面绝缘层 SiO2作为绝缘层也是器件工艺的一个重要 组成部分。作为绝缘层要求必须是连续的，膜 中间不能有空洞或孔存在。另外要求必须有一 定的厚度，绝大多数晶园表面被覆盖了一层足 够厚的氧化层来防止从 金属层产生的感应，这 时的SiO2称为场氧化物。 如图所示。 金属层 氧化层 晶片