■实现掩蔽扩散的条件 二氧化硅的早期硏究主要是作为实现定域扩 散的掩蔽膜作用,如上图所示,在杂质向Si中扩 散的同时,也要向Si02层中扩散,设在Si中的扩 散深度为x,=AD 在SiO层中的扩散深度为xo=AVD 式中:z扩散时间,D。、D分别表示杂质在 Si0和Si中的扩散系数,显然要实现掩蔽扩散的 条件是x0〉x0,即当杂质在硅中的扩散深度达 到x,时杂质在S0中的扩散深度应x0(x 所以, 氧化层厚度◼ 实现掩蔽扩散的条件 二氧化硅的早期研究主要是作为实现定域扩 散的掩蔽膜作用，如上图所示，在杂质向Si中扩 散的同时，也要向SiO2层中扩散，设在Si中的扩 散深度为 在SiO2层中的扩散深度为 式中： 扩散时间， 、 分别表示杂质在 SiO2和Si中的扩散系数，显然要实现掩蔽扩散的 条件是 ，即当杂质在硅中的扩散深度达 到 时杂质在SiO2中的扩散深度应 所以， 氧化层厚度 x A Dt j = x A D t j0 0 0 = t D0 D 0 j0 x x j x 0 0 x x j  D D A A x x x x j j j 0 0 0 0  = 0 x